电镜的应用及发展.docxVIP

扫描电镜的新发展陈散兴扫描电镜的原理扫描电镜( Scanning Electron Microscope, 简写为SEM) 是一个复杂的系统, 浓缩了电子光学技术、真空技术、精细机械结构以及现代计算机控制技术。成像是采用二次电子或背散射电子等工作方式, 随着扫描电镜的发展和应用的拓展, 相继发展了宏观断口学和显微断口学。扫描电镜是在加速高压作用下将电子枪发射的电子经过多级电磁透镜汇集成细小( 直径一般为1-5 nm)的电子束(相应束流为10- 11-10- 12A)。在末级透镜上方扫描线圈的作用下, 使电子束在试样表面做光栅扫描( 行扫+ 帧扫)。入射电子与试样相互作用会产生二次电子、背散射电子、X 射线等各种信息。这些信息的二维强度分布随试样表面的特征而变( 这些特征有表面形貌、成分、晶体取向、电磁特性等等) , 将各种探测器收集到的信息按顺序、成比率地转换成视频信号, 再传送到同步扫描的显像管并调制其亮度, 就可以得到一个反应试样表面状况的扫描图像。如果将探测器接收到的信号进行数字化处理即转变成数字信号, 就可以由计算机做进一步的处理和存储。扫描电镜主要是针对具有高低差较大、粗糙不平的厚块试样进行观察, 因而在设计上突出了景深效果, 一般用来分析断口以及未经人工处理的自然表面。扫描电镜的主要特征如下:( 1) 能够直接观察大尺寸试样的原始表面;( 2) 试样在样品室中的自由度非常大;( 3) 观察的视场大;( 4) 图像景深大, 立体感强;( 5) 对厚块试样可得到高分辨率图像;( 6) 辐照对试样表面的污染小;( 7) 能够进行动态观察( 如动态拉伸、压缩、弯曲、升降温等) ;( 8) 能获得与形貌相对应的多方面信息;(9) 在不牺牲扫描电镜特性的情况下扩充附加功能, 如微区成分及晶体学分析。近代扫描电镜的发展主要是在二次电子像分辨率上取得了较大的进展。但对不导电或导电性能不太好的样品还需喷金后才能达到理想的图像分辨率。随着材料科学的发展特别是半导体工业的需求, 要尽量保持试样的原始表面, 在不做任何处理的条件下进行分析。早在20 世纪80 年代中期, 便有厂家根据新材料( 主要是半导体材料) 发展的需要, 提出了导电性不好的材料不经过任何处理也能够进行观察分析的设想, 到90 年代初期, 这一设想就已有了实验雏形, 90 年代末期, 已变成比较成熟的技术。其工作方式便是现在已为大家所接受的低真空和低电压, 最近几年又出现了模拟环境工作方式的扫描电镜, 这就是现代扫描电镜领域出现的新名词/ 环扫0, 即环境扫描电镜。低电压扫描显微镜在扫描电镜中, 低电压是指电子束流加速电压在1 kV 左右。此时, 对未经导电处理的非导体试样其充电效应可以减小, 电子对试样的辐照损伤小, 且二次电子的信息产额高, 成像信息对表面状态更加敏感, 边缘效应更加显著, 能够适应半导体和非导体分析工作的需要。但随着加速电压的降低, 物镜的球像差效应增加, 使得图像的分辨率不能达到很高, 这就是低电压工作模式的局限性。低真空扫描显微镜低真空为是为了解决不导电试样分析的另一种工作模式。其关键技术是采用了一级压差光栏, 实现了两级真空。发射电子束的电子室和使电子束聚焦的镜筒必须置于清洁的高真空状态,一般用1 个机械泵和扩散泵来满足之。而样品室不一定要太高的真空, 可用另一个机械泵来实现样品室的低真空状态。当聚焦的电子束进入低真空样品室后, 与残余的空气分子碰撞并将其电离,这些离化带有正电的气体分子在一个附加电场的作用下向充电的样品表面运动, 与样品表面充电的电子中和, 这样就消除了非导体表面的充电现象, 从而实现了对非导体样品自然状态的直接观察, 在半导体、冶金、化工、矿产、陶瓷、生物等材料的分析工作方面有着比较突出的作用。环境扫描电镜上述低真空扫描电镜样品室最高低真空压力为400 Pa, 现在有厂家使用专利技术, 可使样品室的低真空压力达到2 600 Pa, 也就是样品室可容纳分子更多, 在这种状态下, 可配置水瓶向样品室输送水蒸气或输送混合气体, 若跟高温或低温样品台联合使用则可模拟样品的周围环境, 结合扫描电镜观察, 可得到环境条件下试样的变化情况。环扫实现较高的低真空, 其核心技术就是采用两级压差光栅和气体二次电子探测器, 还有一些其它相关技术也相继得到完善。它是使用1 个分子泵和2 个机械泵, 2 个压差( 压力限制) 光栅将主体分成3 个抽气区, 镜筒处于高真空, 样品周围为环境状态, 样品室和镜筒之间存在一个缓冲过渡状态。使用时, 高真空、低真空和环境3 个模式可根据情况任意选择, 并且在3 种情况下都配有二次电子探测器, 都能达到3. 5 nm 的二次电子图像分辨率。ESEM 的特点是:(1) 非导电材料不需喷镀导电膜, 可直接观察,