二极管和晶体管管.pptVIP

电子技术 授课教师：吕琛 授课班级：机械2091/2092 课程简介及要求 课程简介： 《电子技术》课程是机类与近机类专业的一门基础课，是研究各种半导体器件性能、电路及其应用的学科，通过各种半导体器件及其电路来阐明电子技术中的基本概念、基本原理和基本分析方法。教学中重点培养学生的分析问题和解决问题的能力，同时以实验教学辅助理论教学，培养学生的实验与设计技能，在实践中加深对理论的理解，提高学生的专业素质，为学生进一步学好专业课程和将来从事电子技术方面的实际工作打下坚实的基础。 课程的主要先修课程有《高等数学》、《大学物理》和《电工技术》。 推荐参考教材：秦曾煌.电工学（下册）（第六版）.北京：高等教育出版社, 2004 课程简介及要求 课程要求： 考勤：将严格按学校规定，缺课三次下缺课通知单，四次取消考试资格！迟到、早退三次算缺课一次；病假、事假必须有辅导员签字假条且尽量提前通知请假事宜！ 课堂秩序：课上不许大声喧哗，也不要小声嘀咕，总之就是不要说话！（课堂提问、准许讨论问题时除外） （友情提示：本人非常痛恨说话干扰上课情绪之人，望大家能理解配合，切记切记！！！） 课后作业、实验报告请认真做，按时交！发现抄袭现象达各班总人数一半者，将拒绝批改以示抗议！ “教学相长”。欢迎大家在一学期的课程学习过程中积极踊跃的向本人提出好的与教学有关的意见和建议。联系电话非诚勿扰！ 1.1.2 N型半导体和 P 型半导体 1.1.2 N型半导体和 P 型半导体 1.2 PN结及其单向导电性 1.2.1 PN结的形成 1.2.2 PN结的单向导电性 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 1.3 二极管 1.3.1 基本结构 1.3.2 伏安特性 1.3.3 主要参数（自学） 5.二极管电路分析举例 1.4 稳压二极管 3. 主要参数 1.5 三极管 1.5.1 基本结构 1. 5. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 3. 各电极电流关系及电流放大作用 1. 输入特性 2. 输出特性 1.5.4 主要参数 1. 电流放大系数 ，? 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点： 集电区： 面积最大 B E C N N P EB RB EC RC 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 2.三极管内部载流子的运动规律 B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 　进入P 区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 1）三电极电流关系 IE = IB + IC 2） IC ?? IB ， IC ? IE 3） ? IC ?? ? IB 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化。 　发射极是输入回路、输出回路的公共端 共发射极电路 输入回路 输出回路 测量晶体管特性的实验线路 IC EB mA ?A V UCE UBE RB IB EC V + + – – – – + + 特点:非线性 死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。 正常工作时发射结电压： NPN型硅管 UBE ? 0.6~0.7V PNP型锗管 UBE ? ?0.2 ~ ? 0.3V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V O IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 放大区 输出特性曲线通常分三个工作区： (1) 放大区 在放大区有 IC=? IB ，也称为线性区，具有恒流特性。 在放大区，发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA )