第七章静电场和恒定电场.pptVIP

解：作轴线垂直于两板的圆柱形高斯面，两底面分别在两导体板内。 例：AB为两个平行放置的无限大均匀带电导体平板，A板、B板单位面积带电量 ， 。求两板四个表面上的电荷面密度 、 、 、 。 B板内任取一点P 又: 解得: 求：导体球接地后球上感应电荷的电量qx 是多少？ q R a 0 例： 四. 空腔导体和静电屏蔽 1. 空腔导体 特点： A）腔内无带电体 （1）空腔内表面没有电 荷，电荷只分布在 外部表面。 （2）空腔内部也没有电 场，为一等势空间。 (导体中场强为零， 净电荷密度为零， 导体为等势体。） 纵剖面 + + - - - + + + - - - + 证明： B）腔内有带电体（设内部电荷为q，空腔导体 原来带电Q） 结论：静电平衡时，导体 内表面带电-q，外球带电 q+Q。 + + + + + + + + + + 纵剖面 S + q + q + + + + + + + + + + - - - - - - - - 2. 静电屏蔽 防上静电干扰的思路： 1）“躲藏起来” 2）大家自觉防上 静电场外泄 在静电平衡状态下导体空腔（不论接地与否）内部电场不受外电荷的影响； 接地导体空腔外部空间电场不受腔内电荷的影响。 7.4 静电场中的电介质 （1）非极性分子的位移极化 （2）极性分子的转向极化 （正负电荷中心不重合） 不规则排列, 不显电性 也有位移极化，但转向极化占主要地位． 1. 电介质的极化 一. 两类电介质及其极化机理 时， 时, 电矩 时, 电矩 1） 单位体积内分子电偶极矩的矢量和． 单位: 库仑／米２ 在均匀介质中： 2．极化强度 和极化电荷面密度 2）极化电荷面密度 与 P 的关系 n dq′ 二．电介质中的电场分析和高斯定理 + + + + + + + - - - + + + - - - - - - - ?0 -?0 ?′ -?′ …（2） n 电极化率 + + + + + + + - - - + + + - - - - - - - ?0 -?0 ?′ -?′ …（2） 常令： 称为相对介电系数 + + + + + + + - - - + + + - - - - - - - ?0 -?0 ?′ -?′ 2. 的高斯定律 真空中的高斯定律: 则： 令：ε＝ε0εr 介电常数（电容率） 引入电位移矢量： 如何计算介质中的总场强？ ?r +Q ? r +Q E 线 D 线 电力线与电位移线 电位移线起于正自由电荷，止于于负自由电荷。 例题：如图金属球半径为R1 、带电量+Q；均匀、各向同性介质层外半径R2 、相对介电常数? r ； R2 R1 ?r Q 求： 分布 （1）对称性分析确定E、D沿矢径方向 C B A （2）大小 解： ？ A R2 R1 ?r Q 7.5 电容、电容器 １．孤立导体的电容 例：导体球 Ｒ 0 4 Q R U pe = Q∝U Q＝CU 单位：法拉（F） 辅助单位：微法（μF）；皮法（PF） R＝1m：C＝1.11×10－10F R＝地球半径：C ＝7.07×10－4F ２．电容器及其电容 １）平板电容器电容 A B UA UB 极板间电场： 极板间电压： s U＋ U－ ε＝ε0εr d 2) 同轴柱形电容器 ＲＢ ＲＡ R1 R2 r －Q ＋Q L 当 R1＜ r ＜ R2时： r ?0 r ?0 r：轴线到场点的距离，方向 0 沿径向向外。 r ? S侧 以轴线为中心，作半径为r的圆柱形高斯面S 2） 依高斯定理： + + + + + + + + + + + + + + S下 S上 3）以轴线为中心，作半径为r的圆柱形高斯面S 依高斯定理： + + + + + + + + + + + + + + S侧 S下 S上 综合： r E（r） R + + + + + + + + + + + + + + R 例：求无限大带电平面的电场。设电荷面密度为? 已知：?， 求： 解：1）对称性分析； + + + + + + + + + + + + + + ? 结论：是以面为对称的场。与带电面等距离的两平行平面处场强值相等。 + + + + + + + + ? 2）作垂直于带电面的高斯圆柱面 依高斯定理： X O S1 S2 S3 S1 S3 S2 一. 电场力的功 点电荷q的电场中，将试验电荷q0从a点移动到b点，电场力对q0所作的功： 7.2 场强环路定理 电势 v v v l r r q q l E q l F A v v d 4