聊城大学《材料物理化学》烧结1.pptVIP

目的要求： 1．了解烧结概念和它的作用，并能区分烧结与烧成，弄清烧结与熔融、固相反应等概念的区别。 2．明确烧结的推动力是粉状物料的表面能大于多晶烧结体的界面能。 3．了解固相烧结和液相烧结的传质机理及其影响因素。 4．了解晶粒长大和二次再结晶。 5．熟悉影响烧结的各种因素在烧结中的作用。 重点： 烧结概念及推动力，烧结过程中的传质机理及比较，晶粒生长及二次再结晶，影响烧结的因素 难点： 烧结过程中的传质机理 烧结是一门古老的工艺，早在公元前3000年人类就在粉末冶金技术中掌握了这门工艺。 烧结的目的是把粉体材料转变为块体材料，并赋予材料特有性能。 块体材料是一种多晶材料，其显微结构由晶体、玻璃体和气孔组成。 烧结是高温动力学中最复杂的动力学过程。 一、烧结 烧结是粉末冶金、陶瓷、耐火材料、超高温材料等部门的一个重要工序。 烧结过程直接影响显微结构中晶粒尺寸和分布，气孔尺寸和分布以及晶界体积分数….。 烧结过程可以通过控制晶界移动而抑制晶粒的异常生长或通过控制表面扩散、晶界扩散和晶格扩散而充填气孔，用改变显微结构方法使材料性能改善。 因此，当配方、原料粒度、成型等工序完成以后，烧结是使材料获得预期的显微结构以使材料性能充分发挥的关键工序。 A．烧结与烧成（firing）: 烧成：包括多种物理和化学变化。例如脱水、坯体内气体分解、多相反应和熔融、溶解、烧结等。 烧结：仅仅指粉料经加热而致密化的简单物理过程，烧结仅仅是烧成过程的一个重要部分。 B．烧结和熔融(Melt)： 烧结是在远低于固态物质的熔融温度进行的。 烧结和熔融这两个过程都是由原子热振动而引起的， 但熔融时全部组元都为液相，而烧结时至少有一组元是处于固态。 两个过程均在低于材料熔点或熔融温度之下进行的。并且在过程的自始自终都至少有一相是固态。 两个过程不同之处是 固相反应必须至少有两组元A和B参加，并发生化学反应，最后生成化合物AB。AB结构与性能不同于A和B。 而烧结可以只有单组元，或者两组元参加，但两组元并不发生化学反应。仅仅是在表面能驱动下，由粉体变成致密体。 从结晶化学观点看，烧结体除可见的收缩外，微观晶相组成并未变化，仅仅是晶相显微组织上排列致密和结晶程度更完善。但在实际生产中，纯的烧结是很难见到的。 烧结是一个自发的不可逆过程，系统表面能降低是推动烧结进行的基本动力。 粉体经烧结后，晶界能取代了表面能，这是烧结后多晶材料稳定存在的原因。 粉状物料的表面能 多晶烧结体的晶界能 * 烧结能否自发进行？ 因为 由于颗粒表面各处的曲率不同，按开尔文公式可知，各处相应的蒸气压大小也不同。故质点容易从高能阶的凸处（如表面）蒸发，然后通过气相传递到低能阶的凹处(如颈部）凝结，使颗粒的接触面增大，颗粒和空隙形状改变而使成型体变成具有一定几何形状和性能的烧结体。这一过程也称气相传质。 二、扩散传质 二、晶粒生长 小晶粒生长为大晶粒．比表面积↓，界面自由能↓。 如：晶粒尺寸由1μm→1cm 相应的能量变化约为0.42～21J/g 1）烧结初期：晶界能量较小，晶界移动被杂质或气孔所阻挡，Vb＝0，晶粒正常长大停止。 2）烧结中、后期：晶界具有一定的能量，晶界带动杂质或气孔继续移动，Vb＝VP 。气孔利用晶界的快速通道排除，坯体不断致密。 3）烧结后期：晶界能量大，晶界越过杂质或气孔，把气孔包裹在晶粒内部，Vb VP 。气孔被包入晶体内不，再不能利用晶界这样的快速通道而排除，只能通过体积扩散来排除，是十分困难的，坯体很难致密化。 三、二次再结晶 但是，并不是在任何情况下二次再结晶过程都是有害的。 在现代新材料的开发中常利用二次再结过程来生产一些特种材料。如铁氧体硬磁材料BaFel2019的烧结中，控制大晶粒为二次再结晶的晶核，利用二次再结晶形成择优取向，使磁磷畴取向一致，从而得到高磁导率的硬磁材料。 当添加物能与烧结物形成固溶体时，将使晶格畸变而得到活化。故可降低烧结温度，使扩散和烧结速度增大，这对于形成缺位型或间隙型固溶体尤为强烈。 外加剂与烧结物成形成的新的化合物包裹于表面，会抑制晶界移动速率，防止晶粒的异常长大，促使坯体致密化的进行。 一般说来对于给定的物料有着一个最适宜的热分解温度。 温度过高会使结晶度增高、粒径变大、比表面活性下降； 温度过低则可能因残留有未分解的母盐而妨碍颗粒的紧密充填和烧结。 5、晶粒生长影响因素 （1）夹杂物（杂质、气孔等）的阻碍作用 晶界移动遇到夹杂物时，晶界为了通过夹杂物，界面能被降低 ；通过障碍后，弥补界面又要付出能量，使界面前进的能量减弱，界面变得平直，晶粒生长逐渐停止。 移动的七种方式 1－气孔靠晶格扩散迁移 2－气孔靠表面扩散迁移 3－气孔靠气相传递