2.1.3.3晶体的生长机理和生长速度(非完整界面生长)新作业.pptVIP

系统工程研究所 朱卫锋 系统工程研究所 朱卫锋 * * 3）从缺陷处生长机理--――非完整界面的生长 利用晶体缺陷 实际结晶时，晶体生长表面上往往难以避免因原子错排而造成缺陷，例如螺型位错与孪晶。 这些缺陷为晶体生长(原子堆砌)提供现成的台阶，从而避免了二维晶核生长的必要性。 如铸铁中的石墨和铝合金中的硅，就是利用晶体本身缺陷实现生长的典型例子。 ? ①螺旋位错生长机制 在光滑界面上一旦发生螺旋位错时，如图2-10(a)所示，界面就由平面变成螺旋面，并产生与界面垂直的壁而构成台阶 。 光滑界面生长困难－－晶体怎么办？ * * 图2-10 螺旋位错生长机制(a)螺旋位错及生长台阶 (b)螺旋线的形成 * * 因此，通过原子在台阶上的不断堆砌， 围绕着壁而旋转生长，不断地向着液相纵深发展， 最终在晶体表面形成螺旋形的螺线，如图2-10(b)所示。 由于台阶在生长过程中不会消失，所以生长可以一圈接一圈地连续进行，其生长所需的动力学过冷度比二维形核小得多，生长速率也较大。 生长速率R与动力学过冷度ΔTK之间为抛物线关系，即 式中的动力学系数 μ3≈10-2～10-4 cm／(s，K)。