《光电检测技术》第三章 结型光电器件.pptVIP

《光电检测技术》第三章 结型光电器件.ppt

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R1 R2 A2 B2 A1 B1 I2 I1 用于复色光测量的色敏器件: 应用: 工业上----自动检测纸,纸浆、染料的颜色等 医学上----测定皮肤、牙齿的颜色 其它-----电视机彩色调整,商品颜色及代码的读取等 3.6 结型光电器件的应用实例 -----光电耦合器件 光电耦合器件: 发光器件与光接收器件组合的一种元件,发光器件常采用发光二极管接收器件常采用光电二极管、光电三极管及光集成电路等。它以光作为媒介把输入端的电信号耦合到输出端----也称为光电耦合器。 体积小、寿命长、无触点、抗干扰能力强、输出和输入之间隔离、可单向传输信号。 有时还可取代继电器、变压器、斩波器 已被广泛应用于:隔离电路、开关电路、数模转换电路、逻辑电路及长线传输、高压控制、线性放大、电平匹配等 3.6.1 光电耦合器件的分类、结构和用途 分类--- 光电隔离器:在电路之间传送信息,实现电路间的电气隔离和消除噪声影响等 光传感器:用于检测物体的有无状态或位置 1.光电隔离器 发光器件和光接收器件组装在同一管壳中,两者的管心相对、互相靠过,除光路部分外,其它部分完全遮光就构成了隔离器 * 第三章 结型光电器件 结型 光电器件主要包括: 光电池、光电二极管、光电晶体管、PIN管、雪崩光电二极管、光可控硅、象限式光电器件、位置敏感探测器(PSD)、光电耦合器件等 可以分为:PN结型、PIN结型、肖特基结型 P N 3.1 结型光电器件工作原理 3.1.1 热平衡下的PN结 内建电场消弱扩散、增强漂移,直到两者达到平衡。 漂移 扩散 E内 外加偏压 U P N 漂移 扩散 E内 U ID 当外加偏压时: 正向 反向 3.1.2 光照下的PN结 1.PN结光伏效应 P N N P 光伏效应----光生伏特效应,是指光照射半导体的结区或金属和半导体的结区时,产生电位差的现象。 N P 光伏工作模式: 光导工作模式: 工作在零偏置状态下 工作在反偏状态下 RL N P RL Ub N P N P RL E=0 E1 E2 U IL IP ID SEE 漂移 扩散 扩散电流 漂移电流 光电流 U U ---不加外电压 ID IP RL U Rs Cj Rsh IL 3.2 硅光电池 3.2.1—之--基本原理 N P RL IP ID 扩散电流 漂移电流 光电流 U 光伏工作区 RL1 RL2 E=0 E1 E2 U IL U E=0 E1 E2 Isc Uoc I 开路电压 Uoc ISC 短路电流 开路电压 短路电流 3.2.1 硅光电池的基本结构 N E RL IL P 3.2.2 硅光电池的特性参数 1.光照特性 (1)开路时 对数关系 IL U Isc4 Isc1 Isc2 Isc3 Uoc4 Uoc2 Uoc1 Uoc3 例:设一光电池,在入射辐照度为100W/m2时的开路电压为0.412V,求该光电池在入射辐射照度变为150W/m2时的开路电压,已知环境温度为T=300K。(波耳兹曼常数K=1.38×10-23焦/度)。 IL U Uoc4 Isc4 Isc1 Isc2 Isc3 Uoc2 Uoc1 Uoc3 2.4KΩ 12K Ω 120Ω Ф I 硅光电池光照与负载特性 负载电阻越小,线性范围越大 线性区 RL1 RL2 (3)有限大负载时 (2)短路时 线性关系 Isc Uoc E Uoc Isc 2. 光谱特性 3. 频率特性 t Is 1.0 t 0.37 0.63 上 下 对于矩形脉冲光照 对于正弦形光照 t E t Is 4. 温度特性 光电池外形: ----外加反向偏压 光导工作区 E=0 E1 E2 U I U IP E P N RL Ub ID 3.3硅光电二极管和硅光电三极管 3.3.1 硅光电二极管 总结: 光电池工作区 Ub RL E=0 E1 E2 U IL 光敏二极管工作区 U RL Ub IP RL Ub=0 RL E IL P N RL Ub 硅光电二极管和光电池的区别 ①………… ②………… ③………… ④ ………… 例: 设有一光电二极管工作时的外加电源电压为Ub=9V, 光敏二极管上的输照度在0~100W/m2之间做正弦变化,要使输出电压的变化范围为6V,求所需的负载电阻的大小,试做出负载线。 I(μA) U(V) -0.5 -5.5 E=0 E=100W/m2 RL Ub=-9V 透镜(光窗) 光敏面 入射光 P-Si N-Si 前极 后极 2CU型 N+ N-Si P-Si 前极 后极 环极 N+ 2DU型 环极 外形图: 3.3.2 硅光电三极管 b c e Ub N N+ P Id IP 集成光电三极管:

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