2011-2012光电检测技术总复习.pptVIP

偏置电路 U Ub RL RP I IU=Pmax Ub Ub/RL E2 E3 禁区 U I Q3 Q2 Q1 E1 E=0 有一光敏电阻已注明额定功率为Pmax，负载电阻也已确定为RL，为了保证此光敏电阻在不同光照时均能安全的工作，试证明电源电压的选择必须满足： 第五章：真空光电器件 光电阴极 光电管与光电倍增管 光电倍增管的主要特性参数 光电倍增管的供电和信号输出电路 微通道板光电倍增管 光电倍增管的应用 光电阴极 工作原理——外光电效应 主要参数 灵敏度 量子效率 光谱响应曲线 分类：反射与透射 常用光电阴极材料 负电子亲合势及其特点 光电管与光电倍增管 光电管 玻壳、光电阴极和阳极组成，真空型和充气型 光电倍增管 基于外光电效应和二次电子发射效应 结构上与光电管的区别：电子光学系统和倍增级 光电倍增管 工作原理 典型参数 阴极K A阳极 μA U1 U2 U5 U6 U3 D2 U4 D3 D1 D4 D5 光电倍增管 入射窗口 端窗、侧窗 电子光学系统 作用：汇聚、同步 电子倍增极 阳极 光电倍增管的主要参数 灵敏度 光谱响应，阴极、阳极灵敏度 放大倍数 暗电流 噪声 伏安特性 线性 饱和 光电倍增管的信号输出 用负载电阻实现电流电压转换 用运算放大器实现电流电压转换 光电倍增管的应用 光谱测量 微弱光探测 射线探测 了解！ 第六章：真空成像器件 光电成像器件 真空成像器件 固体成像器件 像管 变像管 像增强管 摄像管 光电发射型像管（摄像管） 光电导型像管（视像管） 无存储 直视 不可见光?可见光 弱光?强光 有存储 非直视 电荷耦合器件CCD 自扫描光电二极管列阵SSPD 第六章：真空成像器件 像管 常见像管 摄像管 光导靶和存储靶 摄像管的特性参数 像管 包括变像管和像增强管； 结构和工作原理 像管的特性参数 光谱特性、增益特性、等效背景照度、分辨率 光电阴极 电子透镜 荧光面 照像机或人眼 像管结构原理示意图 了解概念！ 常见像管 常见变像管 红外、紫外 常见像增强器 级联式、微通道板、X射线 了解概念！ 摄像管 与变像管的区别（作用） 分类 光电发射型摄像管、光电导型摄像管 两者的不同之处: 前者有移像区,后者无 光电阴极 电子光学系统 移像区 两者相同之处: 扫描区 电子枪 灯丝,热阴极,控制栅极,各加速电极,聚焦线圈,偏转线圈,校正线圈 光导靶和存储靶 视像管靶 硅靶，工作原理 存储靶 二次电子传导靶 三个过程： （1）无光照扫描 充电(归零) （2）有光照无扫描 光 → 电 （3）电子束再次扫描, 输出(归零) 三个过程： （1）无光照扫描 零电位 （2）有光照无扫描 电位升高 （3）电子束再次扫描 输出 摄像管的特性参数 灵敏度 光电转换特性 分辨率 了解概念！ 第七章：固体成像器件 电荷耦合器件 电荷耦合器件的分类 CCD摄像机分类 CCD的性能参数 自扫描光电二极管列阵 发展现状和应用 CCD： （Charge Coupled Device）电荷耦合器件 固体成像器件 SSPD：（Self Scanned Photodiod Array)自扫描光电二极管列阵 电荷耦合器件 结构 耦合原理与电极结构 CCD的组成与工作原理 输入、转移、输出 10V 10V 2V t2 2）电荷的耦合 10V 2V 2V t1 4V 10V 2V t3 2V 10V 2V t4 2V 4V 10V t5 2V 2V 10V t6 t1 t2 t3 t4 Ф1 Ф2 Ф3 t t t t5 U U U 三相时钟 t6 电荷耦合器件的分类 线阵CCD 单边、双边 面阵CCD 帧转移、行间转移 CCD的性能参数 转移效率和转移损失率 光谱响应率 分辨率 动态范围 暗电流和噪声 散粒噪声、转移噪声、热噪声 自扫描光电二极管列阵 结构形式和工作原理 连续 电荷存储（三个过程：准备、曝光、再充电） 线阵、面阵 工作原理 第九章：光导纤维与光纤传感器 光导纤维基础知识（分类、传光原理） 光导纤维的应用（举例） 光导纤维传感器的分类及构成（分类区别） 功能型光纤传感器（工作原理的描述） 非功能型光纤传感器 2011-2012光电检测技术总复习 岳成凤 题型 1.单项选择题2x10=20分 2.填空题 2x10=20分 3.简答题 2x5=10分 4.计算题 12+18+20=50分（第3、4、5章各一题，以习题为主） 内容 第一章：光电检测应用中的基础知识 第二章：光电检测中的常用光源 第三章：结型光电器件 第四章：光电导器件 第五章：真空光电器件 第六章：真空成像器件 第七章：固体成像器件 第八章：红外辐射与红外探测器 第九章：光导纤维与