CIGS薄膜太阳能电池吸收层用硒化物的制备.pdfVIP

· 52· 有 色 冶 金 节 能 口新能源 夺 ·夺 ·孛 辛‘ 夺‘ ·夺 ·夺 ·辛 ·n 2 新能源 ； ‘ ． 争 ．争 ．争 ．专 ．辛 ．孛 ．夺 ．争 CIGS薄膜太 阳能 电池 吸收层用硒化物 的制备 伍祥武 ， 黄小珂 ， 谢元锋。 (1．广西铟锡锑工程技术研究中心 ，2．柳州百韧特先进材料有限公司， 3．北京有色金属研究总院，广西 柳州 545006) [摘 要] 介绍 了CIGS的性能和作用 ，探讨 了硒化物靶材 的制备方法 。试验表 明经过真空梯度合成 、热压烧结等 工艺可产出纯度99．999％和密度 99．1％以上的CIGS薄膜太 阳能 电池吸收层用硒化物靶材 。流程所用设备简单 ， 操作简便，适用于工业化生产。 [关键词] CIGS薄膜 ；太阳能电池 ；硒化物 ；制备、实验 [中图分类号]TM914．4 [文献标识码]B [文章编号]1008—5122(2010)05—0052—03 Preparation ofSelenodeUsinginAbsorbingLayerof CIGSThinFilm SolarCell W U Xiang—WH，HUANG Xiao—ke，XIE Yuan—feng Abstract：ThispaperintroducestheperformanceandfunctionofCu、In、Ga、Se，discussestheprepara— tionmethodofselenodetargets．Theexperimentshowsthatafterthetechnologysuchassynthesisofgradi． entbyvacuum andhot—pressedsintering，thepurityand densityofselenodetargetsusing in absorbing layerofGIGSthinfilm solarcellwereover99．999％ and99．1％ respectively．Theprocesswith simple equipmentandeasyoperation issuitabletoindustrialproduction． Keywords：GIGSthinfilm；solarcell；selenode；preparation；experiment 及剧毒硒化物 (或硫化物)，在制备过程中对设备要 U 引 舌 求较高。为了简化工艺和降低成本 ，美 国学者利用 Cu(InGa)Se：作为光 吸收层、具有 高光吸收系 CuInGaSe靶材 ，通过一步溅射 的方法制备 了CIGS 数、高转化效率 、可调 的禁带宽度、高稳定性 、较强的 光吸收层 ，这种工艺大大简化了制备流程，能够精确 抗辐射能力等优点，可 以制备成成本较低的太阳能 控制薄膜成分和厚度 ，使硒化工艺简化甚至取消。 薄膜电池 ，适合 民用。 目前 比较成熟 的制备方法一 清华大学张弓等人利用 CuSe、InSe和 Ga：Se粉末 般采用先溅射后硒化 (或硫化)工艺 ，但这种方法不 合成 Cu(InGa)Se靶 材 ，韩 国学 者 利 用 Cu：Se、 能保证薄膜成分和厚度的均匀性 ，而且硒化工艺涉 In：se、cu：s、Ins靶材合成 了CuInGaSSe薄膜。可 见 ，使用 cuse、Inse、Ga。