低温烧结氮化铝陶瓷烧结助剂的研究进展.pdfVIP

学兔兔 第27卷第1期 粉末冶金技术 V01．27．No．1 2009年2月 Powder Metallurgy Technology Feb．2009 低温烧结氮化铝陶瓷烧结助剂的研究进展 王 超 彭超群一 王日初 余 琨 王小锋 李 超 (中南大学材料科学与工程学院，长沙 410083) 摘 要： 分析烧结助剂在低温烧结制备高热导率AIN陶瓷过程中的作用和机理；综述 tklN低温烧结助剂的 研究实践；介绍烧结助剂的选择原则和几种不同烧结助剂体系对 A1N陶瓷材料的烧结致密度与热导率的影 响。 关键词：A1N；低温烧结；烧结助剂；热导率；致密度 Research progress of low-temperature sintering aids of AIN ceramic Wang Chao，Peng Chaoqun，Wang Richu，Yu Kun，W ang Xiaofeng，Li Chao (School of Materials Science and Engineering，Central South University，Changsha 410083，China) Abstract：The effects of sintering aids on sintering of AlN ceramics with high thermal conductivity at lowo temperatures and its mechanisms are analyzed．The research status of the low—temperature sintering aids of／kiN ceramic is reviewed．The choice principle of sintering aids and the effects of several kinds of sintering aids on the density and heat conductivity of AIN ceramics are introduced． Key words：A／N；low-temperature sintering；sintering aid；heat conductivity；density 随着航空、航天及其他智能功率系统对大功率 高的烧结_4 J。一般认为，A1N表层的氧是在高温下 耗散要求的提高，近年来迅速发展的A1N已成为高 才开始向其晶格内部扩散。因此，低温烧结另外一 温大功率射频封装应用的一种重要的新型封装材 个潜在的有利影响是可以延缓高温烧结时表层氧向 料。A1N陶瓷具有高的热导率(理论热导率为 A1N晶格内部扩散，增进后续热处理过程中的排氧 319w／(m·K)、低的介电常数(1 MHz下约为8．0)、 效果，有利于制备出高热导率的陶瓷材料L5 J。低温 与硅相匹配的热膨胀系数(293～773 K，4．8×10 烧结的关键技术是选择有效的烧结助剂。因此，为 K-1)、高电阻(体电阻率大于10HQ·crn)、低密度 了改善烧结条件和降低陶瓷制造成本，选择合适的 (理论密度3．26g／cm0)和无毒害等特点，是理想的 低温烧结助剂已经成为近年来A1N陶瓷的研究热 大规模集成电路基板和封装材料_1-zj。