微尺度薄膜热导率测试技术.PDF

第 22 卷 　第 3 期 物 　理 　学 　进 　展 Vol . 22 ,No . 3 　2002 年 9 月 PRO GR ESS IN PH YSICS Sept . ,2002 文章编号 (2002) 微尺度薄膜热导率测试技术 宋青林 ,夏善红 ,陈绍凤 ,张建刚 ( 中国科学院电子学研究所, 国家传感技术重点实验室,北京　100080) 摘　要 : 　随着器件尺寸进入到微/ 纳米尺度 ,其热物性与体材料相比有了很大差别。在器 件热性能和可靠性研究过程中 ,对热导率的测量成为了关键技术之一。本文概述了 SiO2 、 SiN x 、金刚石等薄膜在微小型器件中的用途及其热导率测试技术的发展 ,并进一步总结了用 于薄膜热导率测量的常用方法。 关键词 : 　薄膜 ;热导率 ;傅立叶传热方程 ;扫描热显微镜 中图分类号: 　T K124 　　　　　　　　　　文献标识码 : 　A 0 　引　言 随着半导体和 MEMS 技术的飞速发展 ,器件的尺寸已进入到微/ 纳米尺度。由于量 子效应、物质的局限性及巨大的表面及界面效应 ,使微尺度下的热物性产生了明显的尺寸 效应 ,器件的热学性质受到人们的关注。薄膜尤其是超薄薄膜在微机械和微电子器件中 占有重要的地位,准确的对微/ 纳米薄膜传热进行定量分析对器件的研究和发展具有重要 的意义。目前已开展了对多种薄膜热导率的研究 ,其中包括 : 以 SiO2 为代表的氧化物薄 膜、以 SiN x 为代表的氮化物薄膜、金刚石薄膜、单晶/ 多晶硅薄膜、聚合物薄膜、超晶格薄 膜、金属及陶瓷薄膜等。 SiO2 和 SiN x 薄膜作为优良的绝缘材料 ,被广泛的应用于半导体器件中的表面钝化、 ( ) [1～5 ] 氧化和扩散保护 ,DRAM , 半导体场效应晶体管 M ISFET 的门绝缘层 , 光学覆盖 膜[6 ]及红外探测器[7 ]等器件中。另外 ,SiN x 薄膜具有良好的硬度和弹性 ,还被用于微电 子器件和微机械传感器中作为支撑结构、运动部件[8～11 ] 。随着器件向集成化、小型化方 向发展 ,这些薄膜的热物性显得越来越重要 ,其传热特性决定着微电子器件工作的稳定性 和可靠性 ,因此研究 SiO2 和 SiN x 绝缘薄膜的热学特性对发展多种微电子器件具有重要 的意义。目前 ,用于 SiO2 和 SiN x 薄膜热导率测量技术已发展成包括静态法[12 ,13 ] 、3ω方 收稿日期 ( ) 基金项目 : 国家 973 项目 G1999033102 284 物 理 学 进 展 22 卷 法[14 ,15 ] 、瞬态反射法[16 ]及扫描热显微技术[17 ]在内的多种方法。 金刚石具有很高的热导率 ,单晶 IIa 型金刚石在室温下的热导率高达 22 W/ cm. K ,相 ( ) 当于 Cu 的热导率 4 W/ cm. K 5 倍多。目前 ,人工 CVD 金刚石薄膜的热导率已能接近或 达到天然金刚石的水平[18 ] 。金刚石膜的高热导率和高电阻率的特性被应用于高功率微 电子器件和热沉等许多方面, 因此研究 CVD 金刚石膜的热导率显得非常重要。自从用 CVD 方法成功的制备出金刚石薄膜以来 ,对其热导率的研究一直是 CVD 金刚石研究领 域中比较活跃的课题。1988 年 Morelli 等人[19 ]用静态四探针法在 10～300 K 范围内对金 刚石膜的热导率进行了测量。Anthony 等[20～22 ] 用光热偏转法系统的对金刚石膜热导率 进行了系统的研究。1999 年 Leung 等人[23 ] 用全息干涉法对 CVD 金刚石薄膜热特性进 行了探究。2000 年