硅外延及其应用.pdfVIP

2013年6月 云南冶金 Jun．2013 第42卷第3期 (总第240期) YUNNAN METALLURGY Vo1．42．No．3 (Sum240) 硅外延及其应用 徐远志 ，胡 亮 ，吴忠元 (1．昆明冶研新材料股份有限公司，云南 昆明 650031； 2．昆明理工大学化学工程学院，云南 昆明 650500) 摘 要：介绍了硅外延生长技术，综述了应用于硅外延的分子束外延 (MBE)、化学气相沉积 (CVD)、液相 沉积 (LPE)三种工艺，并介绍了si基外延材料器件的应用。 关键词：MBE；CVD；LPE；硅外延；应用 中图分类号：TN340．12 文献标识码：A 文章编号：1006-0308 (2013)03-0046-05 EpitaxialSiliconand ItsApplication xu Yuan—zhi一，HU Liang ，WU Zhong—yuan (1．KunmingYeyanNew—MaterialCo．，Ltd．，Kunming，Yunnan650031，China； 2．CollegeofChemicalEngineering，KunmingUniversityofScienceandTechnology， Kunming，Yunnan650500，China) ABSTRACT：Siliconepitaxygrowthtechnologyisintroduced，andthreekindsoftechnologiesappliedtosiliconepitaxyaresumma- rized：molecularbeamepitaxy(MBE)，chemicalvapordeposition(CVD)，liquiddeposition(LPE)，andtheapplicationofSibaseepitaxi— almateria1deviceisalsointroduced． KEY W ORDS：MBE；CVD；LPE；siliconepitaxy；application 硅具有储量丰富、价格低廉、热性能与机械性 它具有标准PW所不具有的某些电学特性并消除了 能优 良、易于生长大尺寸高纯度晶体等优点。目 许多在晶体生长和其后的晶片加工中所引入的表面 前，硅半导体材料仍是电子信息产业最主要的基础 ／近表面缺陷。因此，硅外延片广泛应用于制作不 材料，95％以上的半导体器件和99％以上的集成 可恢复器件 ，包括 MPU、逻辑电路芯片、快闪存 电路 (IC)是用硅材料制作的。在 2l世纪，它的 储器、DRAM等，在 CMOS电路中应用最广泛， 主导和核心地位仍不会动摇。半导体制造商生产 在提高器件性能和芯片成品率方面，比抛光片更有 IC芯片用硅片分别采用硅抛光片 (PW)和硅外延 优势。外延生长是制备半导体材料和器件的一项重 片以及非抛光片三种类型，用量最多的为前二类硅 要技术。外延生长的方法很多，主要有气相外延 片。半导体硅材料 自从60年代被广泛应用于各类 (VPE)、分子束外延 (MBE)、液相外延 (LPE) 电子元器件 以来，其用量保持高速增长。SEMI 等，采用这些方法已经制备出了CMOS产品、红外 (国际半导体设备与材料协会 )报告预测了晶圆的 焦平面探测器、光波导、光调制器等大量的半导体 需求前景，2013年预计99．95亿 in (不包括非抛 器件。 光硅片)。20世纪 80年代早期开始使用外延片， 收稿 日期 ：2013~)4-07 作者简介：徐远