固体的磁性要点.ppt

Fallot 实验结果（1951）见戴书p175 MA MB M TC T O M MA MB M TC T O M 亚铁磁体的某些特殊的 M – T 曲线 （2）亚铁磁体中存在某些特殊的 M – T 曲线： 亚铁磁体可以被分成两个（或多个）子晶格。磁化强度分别为 MA 与 MB ，但 MA 与 MB方向相反，大小不等。 M=| MA －MB| 在 T= 0K 时达到饱和。当温度上升时，由于 MA 与 MB 随温度变化曲线的具体形状不同，导致 M 随 T 的变化可能出现特殊的形状。如图所示： Neel 已经预见到图中所示曲线中的抵消点现象。这一现象在1953年由Gorte在研究 Li0.5Fe2.5-xCrxO4系统时所证实。 相关的抵消点现象是特别值得关注的，随着温度的提高，原来磁矩较大的子晶格下降较快，而原来磁矩较小的子晶格下降较慢，通过抵消点后，磁矩反而超过原来较大的子晶格，这会造成磁介质的磁矩在外磁场中反向。实验中可以明显地看到磁介质的磁矩在抵消点前后的转向的现象。 在抵消点处，虽然磁化强度也为零，但和居里温度点是不同的，对铁磁性物质超过居里温度后，自发磁化强度一直都会为零，而对亚铁磁性物质在超过抵消点温度后，自发磁化强度又可能会不为零。 除此之外，抵消点与居里点两者的差异还表现在其它的物理性质上。 （3）具有亚铁磁性的典型材料： 具有亚铁磁性的典型材料是铁氧体。它是由铁和其它元素组成的复合氧化物。 在应用上可分为：软磁材料、永磁材料、旋磁材料、磁记录材料等。 抵消点现象 尖晶石的结构特点： ① 尖晶石型：化学式为：MFe2O4 其中：M 代表二价金属离子。 ② 磁铅石型：如：BaFe12O19 。 ③ 石榴石型：如：Y3Fe5O12 。 其中以尖晶石型铁氧体在结构上是相对简单的一类，下面以此为例做一些具体的说明。 从结构上讲主要有： 尖晶石：MgAl2O4 立方晶系 面心点阵 每一晶胞容纳： 24个阳离子， 32个阴离子， 相当于8个分子 c、最大磁化率区（陡峭区）： 属中等磁场范围。M变化很快。 该区域内的磁化过程为不可逆磁化过程。会出现剧烈的不可逆畴壁位移过程，如发生巴克豪森跳跃的急剧变化，其 χ 与 μ 均很大且达到最大值——所以称为最大磁化（导）率区。 1919年巴克豪森发现铁磁材料的磁化过程，是分成许多小的不连续步骤进行。此现象称为巴克豪森效应。 H 起始磁化区 陡峭区 趋近饱和区 Rayleigh区 M d、趋近饱和磁化区： 强H，M变化缓慢，逐渐趋于技术磁化饱和。符合趋于饱和定律： ② 磁化过程的磁化机制: 上式右边求和符号内第一项为磁畴体积变化导致的磁化，相当于畴壁位移： 当磁场改变ΔH时，相应的磁化强度改变 沿H方向磁化强度 MH ： ） （ 位移 M Δ e、顺磁磁化区： 技术磁化饱和后，进一步增加磁场，铁磁体的自发磁化强度 MS 本身变大。由于外磁场远小于分子磁场，因此，MS 随外磁场的增加是极其有限的，所以与此对应的顺磁化率一般都很小。 由于该区域需极高的 H，实际中难以达到。在技术磁化中一般不予考虑。 即铁磁体的磁化过程可归纳为两种基本机制。 ） （ 顺磁 M D ） （ 转动 M D 第二项为夹角ji变化导致的磁化即磁畴转动, 第三项为由磁畴内饱和磁化强度变化导致的磁化，即顺磁磁化 具体的磁化过程大致可以分为四个阶段: 分别为：磁畴体积变化导致的磁化 ( 相当于畴壁位移 ) 和磁畴转动所导致的磁化。 (1) 可逆磁化阶段： 若H退回到零，其M也趋于零。 同时存在： a、畴壁位移（金属软磁材料 和 μ 较高的铁氧体中以此为主）。 b、磁畴磁矩转动（在 μ 不高的铁氧体中以此为主）。 (2) 不可逆磁化阶段： 主要指不可逆壁移 (3) 磁畴磁矩的转动阶段： 此时样品内壁移已基本完毕，要使M增加，只有靠磁畴磁矩的转动来实现。 一般情况下，可逆与不可逆畴转同时发生于这个阶段。 (4)、趋近饱和阶段： ΔM很小，M的增加都是由于磁畴磁矩的可逆转动造成的 H 起始磁化阶段 磁畴磁矩转动阶段 趋近饱和