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ALD应用要点
ALD技术发展及应用;ALD- Atomic Layer Deposition（原子层沉积）;ALD技术的主要优点;一个ALD沉淀周期可以分为4个步骤：
（1）第一种反应前驱体与基片表面发生化学吸附或者反应；
（2）用惰性气体将多余的前驱体和副产物清除出反应腔体；
（3）第二种反应前驱体与基片表面的第一种前驱体发生化学反应，生成薄膜；
（4）反应完全后，在用惰性气体将多余的前驱体以及副产物清除出腔体。;(1)挥发性好(易液化)。
(2)高反应性。
(3)良好的化学稳定性。
(4)不会对薄膜或基片造成腐蚀且反应产物呈惰性。
(5)液体或气体为佳。
(6)材料没有毒性, 防止发生环境污染。;前驱物的自约束条件;ALD特征;三种常见的ALD技术; 热处理原子层沉积(Thermal-ALD , T-ALD)法是传统的、现在仍广泛使用的ALD 方法。它是利用加热法来实现ALD 的技术。;PE-ALD相比较T-ALD，具有如下几个优点;EC-ALD相比较T-ALD，具有如下几个优点;方法;高K介质材料;;IC互连技术——铜互连 ;微型电容器;其他应用;;所遇到的问题;半导体产业正在转换到三维结构，进而导致关键薄膜层对ALD的需求；
特征尺寸的下降，导致其他成膜技术很难继续发展；
在更低尺寸的器件中，传统工艺会导致某些特性有难以控制的变化（K值，隧穿电流）；
新型结构的产生，需要新技术的支持。（FinFET，多闸极元件）;谢谢！！
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