GaAs微探尖的衬底选择刻蚀法剥离和转移.pdfVIP

第# 卷 第$ 期 人 工 晶 体 学 报 %’( # )( $ *++, 年* 月 -./0)12 .3 45)67869: :0546124 3;=?=@ ，*++, !#$ 微探尖的衬底选择刻蚀法剥离和转移 孙晓娟，胡礼中，田怡春，张籍权，张红治，梁秀萍，潘 石 （大连理工大学三束材料改性国家重点实验室，大连$$#+*；辽宁省微纳米技术及系统重点实验室，大连$$#+* ） 摘要：报道了一种用于制作扫描近场光学显微术（4).A ）传感头的B?1C 微探尖的剥离和转移方法—B?1C 衬底选 择湿法刻蚀技术。利用扫描电子显微镜对转移后的微探尖进行了表征。结果表明，通过此方法能够成功地将 B?1C 微探尖转移到目标晶片上，并且在剥离和转移过程中微探尖没有受到损伤。这种技术对实现由带有D9) 光 探测器的垂直腔面发射激光器与B?1C 微探尖的混合集成式4).A 传感头有着非常重要的应用价值。 关键词：湿法刻蚀；液相外延；微探尖；扫描近场光学显微术 中图分类号： 6)+E 文献标识码：1 文章编号：$+++ GHEI（*++, ）+$ ++HG +J %’()* )+ ,-)$.--()* /. !#$ 0(1-/2(3$ 45 6’12(7 82 921:()* 6;4$2-2 ,1:)(; !# $%’()*+ ，, -%(./’+0 ，123# 4%(5/*+，6,3#7 8%(9*+ ，6,3#7 ,’+0(./% -23#7 $%*(:%+0 ，;3# !/% （4K?K; L;@ 2?=?K=@ M= A?K;=N?’C AONMNP?KNQ @ 2?C;= ，9Q ，8’;PK=Q R;?SC ，T?’N?Q $$#+* ，:UNQ? ； 6U; L;@ 2?=?K=@ M= ANP= V Q?Q 6;PUQ’W@ ?QO 4@CK;S M 2N?QNQW D=XNQP; ， T?’N?Q /QNX;=CNK@ M 6;PUQ’W@ ，T?’N?Q $$#+* ，:UNQ? ） （=5=%=? $H !=:@=AB=C *++# ） #4$2-12 ：1 C;’;PKNX; Y;K ;KPUNQW B?1C CCK=?K; S;KUO NC C;O K Z;;’ MM ?QO K=?QCM;= B?1C SNP=KNZC M= CP?QQNQW Q;?=FMN;’O ZKNP?’ SNP=CPZ@ （4).A ）C;QC=C( 4P?QQNQW ;’;PK=Q SNP=CPZ@ （48A ） NS?W;C CUY KU?K B?1C SNP=KNZC P?Q ; CPP;CCM’’@ K=?QCM;==;O QK KU; K?=W;K Y?M;= ?QO ?=; QK O?S?W;O O=NQW KU; Z;;’NQW ?QO K=?QCM;==NQW Z=P;CC( 6UNC K;PUQN[; U?C Z=?PKNP?’ X?’;C NQ =;?’N\NQW ? U@=NO NQK;W=?K;O 4).A C;QC= PSZC;O @ ? X;=KNP?’FP?XNK@ C=M?P;F;SNKKNQW ’?C;= （%:482 ）YNKU ? D9) SQNK= ?QO ? B?1C SNP=KNZ( =5 /-+$ ：Y;K ;KPUNQW ；’N[NO ZU?C; ;ZNK?]@ ；SNP=KNZC ；