集成电路工艺之光刻与刻蚀工艺.pptVIP

Chap 8 lithography Introduction 光刻 洁净室 工艺流程 光刻机 光刻胶 掩膜版 图形曝光与刻蚀 图形曝光（lithography，又译光刻术） 利用掩膜版（mask）上的几何图形，通过光化学反应，将图案转移到覆盖在半导体晶片上的感光薄膜层上（称为光致抗蚀剂、光刻胶或光阻，resist，简称抗蚀剂）的一种工艺步骤 这些图案可用来定义集成电路中各种不同区域，如离子注入、接触窗（contact window）与压焊（bonding－pad）区。 图形曝光与刻蚀 刻蚀 由图形曝光所形成的抗蚀剂图案，并不是电路器件的最终部分，而只是电路图形的印模。为了产生电路图形，这些抗蚀剂图案必须再次转移至下层的器件层上。 这种图案转移（pattern transfer）是利用腐蚀（etching）工艺，选择性地将未被抗蚀剂掩蔽的区域去除。 ULSI对光刻有哪些基本要求？ 高分辨率 在集成电路工艺中，通常把线宽作为光刻水平的标志，一般也可以用加工图形线宽的能力来代表集成电路的工艺水平。 高灵敏度的光刻胶 光刻胶的灵敏度是指光刻胶的感光速度。 产品的产量 曝光时间 确保光刻胶各项属性均为优异的前提下，提高光刻胶的灵敏度 ULSI对光刻有哪些基本要求？ 低缺陷 缺陷关系成品率 精密的套刻对准 集成电路芯片的制作需要经过多次光刻，在各次曝光图形之间要相互套准。 ULSI的图形线宽在1um以下，通常采用自对准技术。 大尺寸硅片上的加工 ULSI的芯片尺寸为1～2cm2 提高经济效益和硅片利用率 Chap 8 lithography Introduction 光刻 洁净室 工艺流程 光刻机 光刻胶 洁净室（1） 洁净室（2） 洁净室的等级定义方式： （1）英制系统： 每立方英尺中直径大于或等于0.5um的尘埃粒子总数不准超过设计等级数值。 （2）公制系统 每立方米中直径大于或等于0.5um的尘埃粒子总数不准超过设计等级数值（以指数计算，底数为10）。 洁净室（3） 例子： （1）等级为100的洁净室（英制），直径大于或等于0.5um的尘埃粒子总数不超过100个/ft3 （2）等级为M3.5的洁净室（公制），直径大于或等于0.5um的尘埃粒子总数不超过103.5（约3500个/m3) 100个/ft3= 3500个/m3 一个英制等级100的洁净室相当于公制等级M3.5的洁净室。 洁净室（4） Chap 8 lithography Introduction 光刻 洁净室 工艺流程 光刻机 光刻胶 掩膜版 光刻原理（1） 掩膜版图形转移到光刻胶 在光刻过程中，光刻胶受到光辐射之后发生光化学反应，其内部分子结构发生变化，在显影液中光刻胶感光部分与未感光部分的溶解速度相差非常大。 利用光刻胶的这种特性，就可以在硅片的表面涂上光刻胶薄层，通过掩膜版对光刻胶辐照，从而使某些区域的光刻胶感光之后，再经过显影就可以在光刻胶上留下掩膜版的图形。 光刻原理（2） 光刻胶图形转移到硅表面的薄膜 在集成电路制作中，利用这层剩余的光刻胶图形作为保护膜，可以对硅表面没有被光刻胶覆盖的区域进行刻蚀，或者对这些区域进行离子注入，从而把光刻胶上的图形转移到硅表面的薄膜上去，由此形成各种器件和电路的结构，或者对未保护区进行掺杂。 光刻原理（3） 光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机 光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体 光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其化学结构发生变化，使光刻胶在某种特定溶液中的溶解特性改变 光刻过程的主要步骤： 曝光、显影、刻蚀 Process flow optical litho 光刻工艺过程 涂胶 coating 前烘 prebaking 曝光 exposure 显影 development 坚膜 postbake 刻蚀 etch 去胶 strip 检验 inspection 1、涂胶 1、涂胶 涂胶目的 在硅片表面形成厚度均匀、附着性强、并且没有缺陷的光刻胶薄膜。 光刻胶是刻蚀和离子注入的保护材料 怎样才能让光刻胶粘的牢一些？ 脱水烘焙 涂HMDS或者TMSDEA 目的：在SiO2上形成疏水表面 当光刻胶和SiO2有同样的性质时（同时为亲水或者同时为疏水），它们就有比较好的粘附力； 可以开始涂胶了…… 怎么涂？ 旋转涂胶法：把胶滴在硅片，然后使硅片高速旋转，液态胶在旋转中因离心力作用由轴心沿径向（移动）飞溅出去，但粘附在硅表面的胶受粘附力的作用而留下。在旋转过程中胶所含的溶剂不断挥发，故可得到一层均匀的胶膜 怎样才算涂的好？ 膜厚均匀，正胶2%，负胶5% 涂胶-----转速Vs膜厚 转速Vs膜厚 其中：T表示