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开关与移相器 开关 构成开关的器件有铁氧体、PIN管、 FET或BJT。铁氧体和PIN是经典的开关器件,铁氧体的特点是功率大、插损小,PIN的特点是快速,成本低。FET或BJT有增益,已经成为中、小功率开关的主要器件。 1. 开关的基本原理 1) 开关器件原理 BJT和FET开关以基极（栅极）的控制信号决定集电极（漏极）和发射极（源极）的通断。放大器有增益,反向隔离大,特别适合于MMIC开关。 MEMS微机电器件也可以用作开关器件。 2) 微波开关电路 开关器件与微波传输线的结合构成微波开关组件。以PIN和MESFET为例。其中MESFET工作在无源模式。开关按照接口数量定义,代号为PT,如单刀单掷(SPST)、单刀双掷（SPDT）、双刀双掷（DPDT）、单刀六掷（SP6T）等。 移相器 在通信系统中,调相是对微波信号相位的控制,在雷达系统中,相控阵天线是要控制送入天线阵每个单元信号的相位,实现天线波束的调整。这些相位控制电路就是移相器。铁氧体、PIN、BJT、FET或MEMS器件都可以构成相移器。  加载线型移相器 引入电纳B，透射波与入射波相比，相位延迟，缺点是有反射，b为归一化电纳 改进： 等效传输线电长度： 加载线型移相器结构 主线安装类型加载线移相器 短截线安装类型加载线移相器 反射型移相器 通过环流器或混合接头将单端口转换成二端口 混合接头优于环形器：1.在MIC和MMIC中更容易集成 2.用了两个开关器件，耐功率能力提高2倍 开关网络型移相器 用于开关网络移相器的低通和高通滤波器 开关线型移相器是开关网络移相器的特殊情况，但开关网络移相器能实现更宽的频带或获得希望的频率响应。 铁氧体开关的原理是改变偏置磁场方向,实现导磁率的改变,以改变信号的传输常数, 达到开关目的。PIN管在正反向低频信号作用下,对微波信号有开关作用。正向偏置时对微波信号的衰减很小（0.5dB）,反向偏置时对微波信号的衰减很大（25dB）。 封装后pin二极管等效电路 GaAs MESFET 在低阻时（栅极0偏）等效阻值约2.5Ω GaAs MESFET 在高阻时（栅极偏压不低于夹断电压） 无源模式MESFET的器件结构和高阻态等效电路 无源模式MESFET的高阻态等效电路和简化电路 典型值： Coff 0.2pF Roff 2kΩ 开关设计： 串联结构和等效电路 插入损耗和隔离度 注：键合带有电感 并联结构和等效电路 插入损耗和隔离度 举例： MA47892：工作在3.18GHz时，正向偏置为0.4+j6Ω; 反向偏置为0.5-j44Ω 串联时： 并联时： MA47899：工作在3.18GHz时，正向偏置为1+j6Ω; 反向偏置为4-j494Ω 串联时： 并联时： 器件电抗补偿 以并联安装为例，在高阻态下，可以一高阻和一小电容并联来等效，总导纳可用一感性电纳来降低 插入损耗和隔离度改写为： 注：这种补偿是容易的，因为在漏源间没有直流电位差 举例： MA47892： 未补偿时： 补偿时： 栅极GaAs MESFET ：工作在10GHz时，Roff=3kΩ, Coff=0.25pF 未补偿时： 补偿时： (a) 并联型; (b) 串联型 单刀双掷（SPDT）开关： 利用MESFET作为并联安装SPDT开关的一个例子，频率10GHz 串、并联开关结构 图示为SP3T开关的微带结构 注：“通”态时，Zse为低阻Zl，Zsh为高阻Zh； 反之，“断”态时， Zse为高阻Zh，Zsh为低阻Zl 最简串并联复合开关结构及等效电路 插入损耗： 隔离度： 注：串、并联开关在隔离度上有了很大改善，在插损上比串联开关好是因为它降低了反射损耗 宽带串－并开关结构 通态时像低通滤波器，断态时像高通滤波器 如上图示，对于通态 对于断态 仿真练习：设计一开关 开关结构： SPDT 驻波比： ＜1.25 频率： 5-6GHz 插入损耗： ＜2dB 隔离度： ＞40dB 开关速度： 测量开关速度的实验设备 开通延时、开通开关、关断延时、关断开关 各项有关开关速度的术语 影响开关速度的因素 1、开关器件 本征层宽度、载流子迁移率、耐功率能力 2、偏置网络 各种微波移相器类型 开关线型移相器 等效电路 偏离中心频率时插损和相移也变化 避免的办法：合适选择传输线的长度，或开路端接匹配负载