2维层状过渡金属2硫属化物纳米片的化学.docVIP

二维层状过渡金属二硫属化物纳米片的化学 超薄二维层状过渡金属二硫属化物纳米片（TMDs）是从根本上和技术上耐人寻味的。相比于石墨烯片，它们是化学通用的。单个或几个层次的TDMs-可以通过散装材料的剥离，或自底向上的合成获得 - 是直接带隙半导体，其带隙能量，以及载流子类型（n型或p型），取决于它们的化合物之间的变化组成，结构和维度。在这篇综述中，我们描述了， TMDs的可调电子结构如何使他们对各种应用更具吸引力。他们已经研究了析氢和加氢脱硫化学活性的催化剂在光电子领域中的电活性材料这各种领域，包括催化，储能传感和电子设备，如场效应晶体管和逻辑电路。——从绝缘体如HfS2，半导体如MoS2和WS2，半金属如e2和TSe2，真正的金属如NbS2和e2。几个散装的TMDs如NbSe2和TaS2表现出低温现象包括超导其合成的某些进展组成，晶相结构和电子结构许多TMD结晶中的类石墨层状结构，导致强烈的各向异性在电气，化学，机械和热性能。TMDs的图1a主要是分层的， 8–10组 TMDs中常见的非层状结构。 微弱的范德瓦尔斯力研究表明，波纹结构发展单层。AbA CaC BcB（参见25 ） 。在这两种情况下，金属配位是三角棱柱。第4组TMDS如Ti S2假设的的1T阶段的堆叠顺序是AbC AbC和金属配位是八面体。为了简单起见，我们将我们的注意力集中在下面对单层TMDs的讨论中。 应该强调的是单层的TMDS只表现出两种晶型：三角棱柱和八面体阶段。属于D3h点组，后者属于D3组。在下面的讨论中，他们分别被称为单层1H（或D3h）和1T（或D3D）-?2。这些晶可以使用几种技术区分，包括高分辨率的扫描透射电子显微镜的环形暗场mode12，如图1所示最近的研究表明，由于1H和MoS2和WS2 1T相的晶格匹配，两个阶段的域之间的相干接口也可以。额外的聚类可以发生由于变形条件（例如锯齿形链如图1所示的模式，并讨论了在本节结束）。z2 （a1）,dx2 - y2 ，xy（e） ， dxz ，yz （e’） ，在俩组轨道之间有相当大的电差（?1eV ）。TMDs的不同的电子特性（见表1）产生于第4组到第十组种类的非键d频段的逐渐填充。当部分填充，如在2H-NbSe2 和 1T-ReS2情况下， TMDs表现导电性。当轨道是完全占领，例如在1T- HfS2 ， 2H- MoS2和1T - PtS2 ，材料是半导体。硫元素原子的电子结构的影响比起金属原子是轻微的，但仍然可以观察到一种趋势： d带的扩大和带隙增加的硫属元素原子数的相应减少。例如，2H-MoS2, 2H-MoSe2 and 2H-MoTe2的间隙逐渐减小，从1.3到1.0电子伏特（参见25）。 一个TMD采用优先相主要取决于过渡金属d电子数。4组的（包括d0过渡金属中心）都八面体结构，而八面体和三棱柱的阶段是在5组TMD看到（1）。6组的（2）主要是三棱柱形的几何形状和7组TMD发现（3）通常是一个扭曲的八面体结构。10组的（6）是一个八面体结构。NbSe2 40 K所得产物） ，但在室温下已经观察到一些闰颞下颌关节紊乱这CDW等的晶格畸变。这种扭曲的驱动力在颞下颌关节紊乱被认为是的Jahn-Teller不稳定 - ，分裂部分填充的简并轨道会导致减少免energy31的。链集群化金属原子的超晶格的形成已在锂插层MoS2和WS2在室温下观察，一个例子示于图。 1F12 。一个 × 单元电池（其中a是晶格常数） ，上√ 3a的× a（或2a的× ） ， √ 3a的×√ 3a中，或2 √ 3a的× 2 √ 3a的超晶格的六方晶系的安排，而不是形成通过原子转移从均衡position32中。有趣的是，扭曲相亚稳态的即使在嵌入removed32的。这种扭曲TMDS的性能预计将显着不同，他们不失真。