第九章外延薄膜中的缺陷.pptVIP

闪锌矿(ZnS)结构也属于面心立方点阵, 其中的位错的柏格斯矢量也是?110?/2. 许多化合物半导体(包括重要的IIIV族半导体GaAs等)都具有这种结构. 在闪锌矿中, 60?全位错在相距远的面间进行I型滑移时, 可以产生两种悬键. Zn原子悬键和S原子悬键, 如图所示, 两种位错的符号不同, 左边的位错相当于从上面往下插入ZnS半原子面, 右边的位错相当于从下面往上插入ZnS半原子面, 因此位错芯部带有悬键的原子不同. 两种位错也可以通过适当的化学浸蚀显示出来. 在闪锌矿中, 全位错也可以分解为扩展位错, 其中可以包含内禀层错或外禀层错. * 纤锌矿(ZnS)结构属于密排六角点阵. 一些化合物半导体(包括重要的IIIV族化合物GaN等)具有这种结构. 纤锌矿结构由六角排列的原子面按AaBbAaBb次序堆垛而成, 其中A,B面表示Zn原子面, a,b面表示S原子面(图a). 侧视图(b)中黑点表示Zn(或Ga), 白点表示S(或N), 由侧视图可见, 上表面和下表面的极性不同. 但是, 六角排列面间距离和金刚石结构的(111)原子面间距类似, 如A和a面之间的距离是a和B面之间距离的三倍. 这主要是由于纤锌矿中的共价键仍然保持了正四面体结构. 图中也给出了I型滑移和II型滑移的位置. 图中还用了六角点阵经常使用的四个密勒指数的晶体学取向. 在俯视图中, AB, AC, AD等