非故意掺杂n型GaN的负持续光电导现象.pdfVIP

半导体学报 Vol. 28 No.6 第 28 卷第6 期 2007 年 6 月 CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS June.2007 非故意掺杂 n 型 GaN 的负持续光电导现象 苏志因1.2.t 许金通l 陈 健l 李向阳1 如! 要2 赵德刚3 (1中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验蜜，上海 200083) (2 山东大学信息科学与工程学院，济南 250100) (3 中阁科学院学导体研究所，北京 100083) 摘要:研究了 MOCVD 方法制备的非故意掺杂 n 现 GaN 薄膜的持续光电导现象.实验发现样品的光电导与入射 光强有密切的关系，当入射光强自弱到强变化时，样品会依次出现正常持续光电等(PPC) 、负光电导(NPO 和负持 续光电导(NPPC) 现象.据知，这是首次在…个样品中仅仅通过改变入射光强就可以依次产生以上现象的实验报 道，通过系统的实验分析和理论研究认为，该现象形成的主要原因是材料中深能级电子陷阱和空穴陷阱共同作用 的结果. 关键词: GaN; 持续光电导F 负光电导p 负持续光电导 PACC , 7280E , 7240 文章编号: 0253.4177(2007)06峭0878-05 中团分类号:丁N304.2 文献标i只码:A 会有 NPC 和 NPPC 现象产生，但是后来未见相关 的实验报道.据我们所知，这是首次在一个样品中仅 1 号|言 仅通过改变人射光强就可以依次产生以上现象的实 。aN 及其回族氮化物是最有前景的半导体材 验报道.我们认为该现象产生的主要原因是由于光 料之一[1-16J 因具有高温稳定性和商饱和迁移率， 生载流子被深能级电子陷阱和空穴陷阱竞争俘获和 可用于制作从可见到紫外波段的发光、探测器件以 复合的结果. 及高温下使用的大功率电子器件[1.幻，使其拥有广 阔的市场前景井且得到了研究人员的广泛关注­ 2 实验 GaN 材料通常采用异质外班生长，衬底与精膜间的 晶格失配租热失配合导致高的缺陷密度.持结光电 样品为非故意掺杂n 型 GaN 薄膜材料，材料生 导(PPC) 就是峡陷亚稳态性质的…种重要表现，它 长及样品沉积过程在文献口口中已有详细报道.战 对 FET 器件以及紫外探测器的提敏皮、噪声特性以 们采用了常规 GaN 光导器件工艺制备该器件，用电 及响应速度都具有负面影响.许多研究人员对 GaN 子束热蒸发方式制备电极，先后1:.~ TijAl/N i! 持续光电导现象进行了研究f川6] ，其研究途径包括 Au，厚度分别为 30nm/90nm/50nm/20nm; 650C 快 光致发光(PL) 谱、光学吸收(OA) 、光学悴灭(OQ) 跑热退火 lmin;Ar 离子椭射生长 180nm 的 Au 加 等，然而所得到的结论并不一致.一部分人认为该现 厚电极后， 1-