软X射线投影光刻技术.pdfVIP

　第12卷　第5期 强 激 光 与 粒 子 束 . 12, . 5　 V ol N o 　2000年9月 H IGH POW ER LA SER AND PA R T ICL E BEAM S Sep. , 2000　 ( ) 文章编号: 1001- 4322 2000 05- 0559- 06 软 X 射线投影光刻技术① 金春水, 王占山, 曹健林 ( 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 应用光学国家重点实验室, 长春 130022) 　　摘　要: 　软X 射线投影光刻作为特征线宽小于0. 1m 的集成电路制造技术, 倍受日美 两个集成电路制造设备生产大国重视。随着用于软X 射线投影光刻的无污染激光等离子体光 源、高分辨率大视场投影光学系统、无应力光学装调工艺、深亚纳米级镜面加工和多层膜制备、 低缺陷反射式掩模、表面成像光刻胶、精密扫描机构等关键技术均取得了突破。 　　关键词: 　软X 射线; 投影光刻; 集成电路 　　中图分类号: O 434. 14　　　　文献标识码:A 　　在信息时代, 用于集成电路生产的光刻技术倍受日美等集成电路制造设备生产大国的重视。光刻技 ( ) ( ) 术的发展经历了等倍光刻到投影微缩光刻, 使用的波长亦在逐渐趋短, 从 g 线 436nm 到 i 线 365nm 及准分子激光 K rF (248nm ) 和A rF ( 193nm ) 。随着光源工作波长的逐渐缩短及相移掩模和离轴照明等 新技术的引入, 现有的可见紫外光刻技术也可以用来制造线宽为0. 18m 、集成度为1Gbit 的DRAM , 而 要制造线宽小于0. 1m 、集成度大于16 Gbit 的DRAM , 软X 射线投影光刻技术是众多方案中最有前途 的。 ( ) 　　软 X 射线投影光刻技术是现有可见近紫外投影光刻技术向软X 射线波段 1～ 30nm 的延伸。但 是, 由于此波段任何材料的折射率均接近于1, 而且吸收较大, 微缩投影光学系统必须采用反射系统, 而 单层膜反射镜对正入射软X 射线的反射率几乎为零, 无法利用其组成正入射系统。70年代后, 随着超光 滑表面加工技术和超薄膜制备技术的不断提高, 目前人们制备的13 多层膜反射率已接近 nm M o Si 70% 。这使人们利用多层膜反射镜集成软X 射线投影光刻系统成为可能。 　　从1984年起, 日本 、 、日立等大公司先后开展了软 射线投影光刻技术研究。1992年, N T T N ikon X