第一章 褂胩体中电子能量结构与状态.ppt

半导体器件和集成电路生产中就是利用杂质补偿作用，在n型Si外延层上的特定区域掺入比原先n型外延层浓度更高的受主杂质，通过杂质补偿作用就形成了p型区，而在n型区与p型区的交界处就形成了pn结。如果再次掺入比p型区浓度更高的施主杂质，在二次补偿区域内p型半导体就再次转化为n型，从而形成双极型晶体管的n-p-n结构。 晶体管制造过程中的杂质补偿 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 缺陷浓度 ?H ?G -T?S ?G= ?H-T?S 热振动和杂质是产生缺陷的原因。缺陷的产生引起自由能改变，由于产生缺陷需要能量，使得系统内能增加，缺陷的出现使原子排列变得无序，使得熵也增加。 根据Boltzmann公式： ?S=klnω ω是与理想晶体比较，由缺陷所引起的微观状态数的增量。 由热力学可知，完美晶体在绝对零度时的熵为零。 1.6 晶体中的缺陷 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. （1） 晶体缺陷是材料结构敏感性的物理根源。 （2）晶体缺陷是材料导电、半导体、发色（色心）、发光、扩散、烧结、固相反应等的机制。 （3）寻找排除晶体缺陷的方法，进一步提高材料的质量和性能的稳定性。 研究缺陷的意义 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 晶体缺陷 理想完整晶体中，原子按一定的次序严格地处在空间有规则的、周期性的格点上。 但在实际的晶体中，原子的排列不可能那样完整和规则，往往存在偏离了理想晶体结构的区域。这些与完整周期性点阵结构偏离的区域就是晶体中的缺陷。 理想晶体 实际中的晶体 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 缺陷的分类（根据缺陷的尺寸） (1) 点缺陷，零维缺陷 (2) 线缺陷，一维缺陷 (3) 面缺陷，二维缺陷 (4) 体缺陷，三维缺陷 (5) 电子缺陷 缺陷的分类 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. （b）线缺陷 （c）面缺陷 （a）点缺陷 缺陷的分类 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 单晶体 多晶体 内部晶体位向完全一致 包含许多的小晶体，每个小晶体的内部，晶格位向是均匀一致的，而各个小晶体之间，彼此的位向却不相同。 晶界附近的原子排列较混乱，是一种面缺陷 晶界 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 零维缺陷(点缺陷) 零维缺陷 杂质点缺陷 本征点缺陷 取代缺陷 间隙缺陷 空位缺陷 错位缺陷 在实际晶体内部，点缺陷附近，原子排列会出现畸变，其他地方则仍然规则排列 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Kroger-Vink表示符号 点缺陷名称? ?缺陷在晶体中所占的格位 ?点缺陷所带有效电荷 ? 中性 ? 正电荷 ，负电荷 缺陷的表示符号 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Cop