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第九章 光电式传感器;9-1 光电效应;二、内光电效应 （1）定义：在光的照射下，材料的电阻率发生改变的现象。基于内光电效应的光电器件有：光敏电阻。 （2）原理：光照射到半导体材料上时，价带中的电子受到能量大于或等于禁带宽度的光子轰击，使其由价带越过禁带跃入导带，使材料中导带内的电子和价带内的空穴浓度增大，从而使电阻率减小，电导率增大。 三、光生伏特效应 在光的照射下，物体内部产生电势的现象（利用光势垒效应）。基于该效应的光电器件有：光电池、光敏晶体管等。;9-2 光电器件及其特征 一、光电管与光电倍增管 1.构造：如图9-1为光电管的典型结构。它是在真空玻璃管内装入两个电极——光阴极和光阳极。 光电管的阴极受到光照射后便发射电子，这些电子被具有一定电位的阳极吸引，在光电管内形成空间电子流。如果在外电路??串入一电阻，则在此电阻上将有正比于光电管中空间电流的电压降。 如图9-2为光电倍增管的典型结构。它是一个除在玻璃泡内装入光电阴极和光电阳极外，还装有若干个光电倍增极，且在光电倍增极上涂以在电子轰击下可发射更多次级电子的材料，倍增极的形状及位置要正好能使轰击进行下去，在每个倍增极间均依次增大加速电压。;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.; 设每级的倍增率为δ，若有n级，则光电倍增管的光电流倍增率将为δ n 。倍增级数n可在4~ 14 之间，δ的范围一般是3~6。 2.特性 光电管的基本特性主要有以下几个方面： （1）光电特性 光电特性表示当阳极电压一定时，阳极电流I与入射在阴极上光通量φ之间的关系。如图9-3（a）为真空光电管的光电特性；图9-3（ b ）为充气光电管的光电特性。 （2）伏安特性 当入射光的频谱及光通量一定时，阳极与阴极之间的电压同光电流的关系。如图9-4（c）所示。 （3）光谱特性 由于光阴极对光谱有选择性，因此光电管对光谱也有选择性。保持光通量和阳极电压不变，阳极电流与光波长之间的关系叫光电管的光谱特性。如图9-4（d）所示。;9-4 (a)真空光电管的伏安特性 (b) 充气光电管的伏安特性;光电倍增管的基本特性参数主要有以下几个方面： （1）倍增系数M。 ，其中 c为收集系数，它反映倍增极收集电子的效率。 （2）光电阴极的灵敏度及光电倍增管的灵敏度 光电阴极的灵敏度是指一个光子照射在阴极上所能激发的电子数。而光电倍增管的灵敏度是指一个光子照射后，在阳极上得到的总电子数。 （3）光电倍增管的暗电流及本底电流 当管子不受光照，但极间加入电压时在阳极上会收集到电子，这时的电流称为暗电流。如果光电倍增管与闪烁体放在一处，在完全蔽光情况下，出现的电流称为本底电流。 （4）飞行时间及其涨落 飞行时间是指从光电阴极发射处电子开始，到收集阳极接受电子为止所经过的时间，一般为10-8s数量级。飞行时间不恒定，其波动值用时间涨落来表示。;二、光敏电阻 1.光敏电阻的结构 光敏电阻的结构很简单，如图9-5所示。它是涂于玻璃底板上的一薄层半导体物质，半导体的两端装有金属电极，金属电极与半导体层保持着可靠的电接触，再将涂有半导体物质的玻璃板压入塑料盒内。金属电极与引出线相连接，光敏电阻就通过引出线接入电路。 2.光敏电阻的主要参数和基本特性 （1）光电流 光敏电阻在无光照时的电阻叫“暗电阻”，此时的电流叫“暗电流”；有光照时的电阻叫“亮电阻”，此时的电流叫“亮电流”；亮电流与暗电流之差即为“光电流”。一般地，光敏电阻的暗电阻是兆欧数量级，亮电阻则在几千欧姆以下。;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;（2）光敏电阻的伏安特性 在一定照度下，光敏电阻两端所加电压与流过光敏电阻的光电流的关系。如图9-6所示。 （3）光敏电阻的光照特性 光敏电阻的光电流I和光通量φ之间的关系。不同的光敏电阻的光照特性是不同的，但在大多数情况下，曲线的形状类似图9-7所示。 （4）光敏电阻的光谱特性 光敏电阻对于不同波长的入射光，其相对灵敏度Kr是不同的。各种不同材料的光谱特性曲线如图9-8所示。从图中可以看出，硫化镉的峰值在可见光区域，而硫化铅的峰值