第五章 褂脞电导器件.pptVIP

第5章 光电导器件 ;5.1 光敏电阻的原理与结构 ; 在黑暗环境里，它的电阻值很高，当受到光照时，只要光子能量大于半导体材料的禁带宽度，则价带中的电子吸收一个光子的能量后可跃迁到导带，并在价带中产生一个带正电荷的空穴，这种由光照产生的电子—空穴对增加了半导体材料中载流子的数目，使其电阻率变小，从而造成光敏电阻阻值下降。光照愈强，阻值愈低。入射光消失后，由光子激发产生的电子—空穴对将逐渐复合，光敏电阻的阻值也就逐渐恢复原值。 ;5.1.2 光敏电阻的基本结构 ;5.1.3 典型光敏电阻 ;2、PbS光敏电阻 ;4、Hg1-xCdxTe系列光电导探测器件 ;5.2 光敏电阻的基本特性 ; 如图2-3所示的特性曲线反应了流过光敏电阻的电流Ip与入射光照度E间的变化关系，由图可见它是由直线性渐变到非线性的。 ;; 在实际使用时，常常将光敏电阻的光电特性曲线改用如图2-4所示的特性曲线。图3-4所示为两种坐标框架的特性曲线，其中(a)为线性直角坐标系中光敏电阻的阻值R与入射照度EV的关系曲线，而(b)为对数直角坐标系下的阻值R与入射照度EV的关系曲线。 ;gp=SgEγ R1=1/SgE1γ R2=1/SgE2γ ;5.2.2 伏安特性 ;5.2.3 温度特性 ;5.2.4 时间响应 ;对于本征光电导器件在非平衡状态下光电导率Δσ和光电流IΦ随时间变化的规律为 ;光电导率和光电流随时间变化的规律为 ;光敏电阻电导率的变化规律为 ;5.2.5 噪声特性 ;5.2.6 光谱响应 ;系列;5.3 光敏电阻的配置电路;;偏置电阻RL两端的输出电压为 ;5.3.2 恒流电路 ;在晶体管恒流偏置电路中输出电压Uo为 ;5.3.3 恒压电路 ;;;满足稳压二极管的工作条件 ;此时的光照度可由γ值计算公式获得 ;;同样,照度为300lx时流过光敏电阻的电流I2与电阻R2为;当输出电压为9V时，设流过光敏电阻的电流为I3，阻值为R3，则 ;5.4 光敏电阻的应用实例 ;继电器绕组的直流电阻为RJ，使继电器吸合的最小电流为Imin，光敏电阻的光电导灵敏度为Sg，暗电导go=0，则 ;5.4.2 火焰探测报警器 ;5.4.3 照相机电子快门 ; 在初始状态，开关K处于如图所示的位置，电压比较器的正输入端的电位为R1与RW1分电源电压Ubb所得的阈值电压Vth（一般为1~1.5V），而电压比较器的负输入??的电位VR近似为电源电位Ubb，显然电压比较器负输入端的电位高于正输入端的电位，比较器输出为低电平，三极管截止，电磁铁不吸合，开门叶片闭合。 ; VR=Ubb[1－exp(－t/τ)]