Ⅲ-Ⅴ族元素化合物的应用及其发展.doc

Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的光伏应用 学 生：谭凯议（2011059090013） 陈 帅（2011059090002） 指导老师：李伟教授 学 院：光电信息学院 电子科技大学 2014年 5 月 摘 要 随着技术的不断发展，传统的太阳能电池已经无法满足人类日益增长的需求。再不断地探索中，人类发现了以InP，GaAs为代表的III-V族化合物。令人惊异的是，这类III-V族化合物太阳能电池材料具有很多老式太阳能电池所不具备的优点，如：它们大多具有直接带隙能带结构，光吸收系数大，且具有良好的抗辐射性能和较小的温度系数。这使得它们可以被广泛地应用于太空电源。本文则简要地介绍了InP，GaAs太阳能电池的材料及基本特性，并着著阐述了单结、多结以及量子点GaAs 太阳能电池的结构、性能、研究现状以及发展空间的情况。 关键词GaAs; InP; III-V族化合物;太阳能电池 Abstract With the development of technology, the traditional solar cell has been unable to meet the growing needs of people. To nstantly explore, humans disvered by InP, GaAs as the representative of the III-V mpound. Amazingly, this kind of III-V mpound solar cell materials have advantages, many old solar cells do not have such as: most of them have direct band gap and energy band structure, optical absorption efficient, temperature efficient and anti radiation performance and less good. Which can be widely used in space power. This paper briefly introduces InP, GaAs solar cell material and basic characteristics, and the described the single junction, multi node and Study on the structure,performance,GaAs quantum dot solar battery status and development of space. Keywords: GaAs; InP; III-V mpounds; solar cell 目 录 一、Ⅲ-Ⅴ族太阳能电池简介 1 1.1 引 言 1 1.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物及太阳能电池特性 2 二、砷化镓(GaAs)太阳能电池 2 2.1砷化镓(GaAs)太阳能电池介绍 2 2.2 GaAs太阳能电池制备方式 3 2.2.1 GaAs的制备-LPE生长（液相外延） 3 2.2.2 GaAs的制备-MOCVD（金属有机化学气相沉积） 4 2.2.3 GaAs的制备-MBE（分子束外延） 4 2.3 GaAs基单结太阳能电池 5 2.4 GaAs基多结太阳能电池 5 2.4.1 GaInP2 /GaAs双结太阳电池 6 2.4.2 GaInP2/GaAs /Ge三结太阳电池 6 2.4.3 多结太阳能电池发展展望 7 2.5 GaAs量子点太阳能电池 7 2.5.1 量子点太阳能电池发展 9 2.6 GaAs基系聚光太阳能电池 11 三、磷化铟(InP)太阳能电池 12 3.1 磷化铟(InP)太阳能电池介绍 12 3.2 InP多晶合成技术 12 3.3 InP单晶生长技术 13 3.3.1 HPLEC法 13 3.3.2 VGF法 13 3.4 InP太阳能电池的发展 14 四、结束语 15 参考文献 16 一、-Ⅴ族太阳能电池简介 1.1 引 言 数千年来，人类一直没有停止过对地球的开发。在一步步征服地球的同时，我们的发展却也迎来了预期中的瓶颈。环境污染和能源危机便是目前人类面临的两大课题，发展和环境永远处于对立面，资源并非无限，而就目前而言，化石燃料依旧是世界最主要的能量来源。然而化石燃料的存量有限且再生周期异常漫长，为了进一步地发展人类的科技，也为了应对未来的能源危机，新型能源的发展已经到了刻不容缓的地步了。而提到新型