第八章(2与)-溅射法.ppt

8.2 溅射技术;一、等离子体和辉光放电;直流辉光放电伏安特性曲线;直流辉光放电伏安特性曲线;C-D: 起辉（雪崩）；离子轰击产生二次电子，电流迅速增大，极板间压降突然减小(极板间电阻减小从而使分压下降)； D-E: 电流与极板形状、面积、气体种类相关，与电压无关；随电流增大，离子轰击区域增大；极板间电压几乎不变；可在较低电压下维持放电； E-F: 异常辉光放电区；电流随电压增大而增大；电压与电流、气体压强相关（可控制区域，溅射区域）； F-G: 弧光放电过渡区；击穿或短路放电；;特性;;;一个过程后阴极发射电子数：;稳定时阳极电流密度：;设气体的电离能eUi,电子能量高于eUi，电离几率为1， 低于eUi，电离几率为0。极板间电场强度E，要产生电离电子的自由程至少li,;;辉光放电的帕邢曲线 不同气体的曲线不同;辉光放电示意图;辉光放电示意图;辉光放电时光强、电压、电场强度、电荷密度的分布;辉光放电中的粒子、能量和温度;Ee~2eV，Te~23000K Ei~0.04eV，Ti~500K En~0.025eV，Tn~293K Tv~3800K，Tro~2800K;粒子轰击固体表面或薄膜产生的效应;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;不同能量和离子/原子质量比下不同的离子轰击过程;Si单晶上Ge沉积量与入射Ge+离子能量间的关系 (实验结果);(1) 从单晶靶材逸出的原子，其分布并不符合正弦规律，而趋向于晶体密度最高的方向； (2) 溅射系数不仅决定于轰击离子的能量，同时也决定于其质量； (3) 存在其一临界能量，在它之下不能产生溅射； (4) 离子能量很高时，溅射系数减小； (5) 溅射原子的能量比热蒸发原子能量高许多倍； (6) 没有发现电子轰击产生溅射。;溅射一般发生在数个原子层的范围内，大量能量转变为靶材的热;溅射阈值：将靶材原子溅射出来所需的入射离子最小能量值。与入射离子的质量关系不大，但与靶材有关，溅射阈值随靶材序数增加而减小，20~40eV。;薄膜的沉积速率与溅射产额（Sputtering Yield）成正比，所以溅射产额是衡量溅射过程效率的参数。;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;影响溅射产额的因素： 靶材料（靶表面原子结合能）； 轰击离子的质量； 轰击离子的能量； 轰击原子的入射角。;Ar离子在400KV加速电压下对各种元素的溅射产额;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;溅射率与入射离子的关系 1.Ag靶；2.Cu靶；3.W靶;Ni的溅射产额与入射离子种类和能量之间的关系;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;溅射产额随离子入射角度的变化;出射原子的欠余弦分布;半导体材料的溅射;气体压强的影响;溅射原子的能量分布;沉积速率：;沉积过程中的污染;不同元素的溅射产额没有平衡蒸汽压那么大； 蒸发法中熔体中的快速扩散和对流使熔体很快达到均匀，而溅射法中，固体表面在经过一段时间的溅射后能使溅射产额比稳定。;设组分CA=nA/n, CB=nB/n, n=nA+nB;被溅射出的粒子的一些特性;溅射沉积的另一个特点是，在溅射过程中入射离子与靶材之间有很大能量的传递。因此，溅射出的原子将从溅射过程中获得很大的动能，其数值一败可以达到5—20eV。相比之下，由蒸发法获得的原子动能一般只有0.1eV。这导致在沉积过程中，高能量的原子对于衬底的撞击一方面提高了原子自身在沉积表面的扩散能力，另一方面也将引起衬底温度的升高。 在溅射沉积过程中，引起衬底温度升高的能量有以下三个来源： (1)原子的凝聚能；