第四章 褂脞电检测.ppt

第四章 光电检测光电检测器;光电探测器凡是光辐射量转换为电;光子效应单个的光子的性质对产生;光热效应探测元件吸收光辐射能量;外光电效应－光电发射效应 ;逸出功A也称功函数,是一个电子;(1)光电效应能否产生，取决于;(2)若入射光的光频为v，光功;(3)光电子逸出物体表面具有初;内光电效应光电导效应光伏效应E;1. 光电导效应 ;式中,Eg以电子伏(eV)为单;图4.2 光电导元件工作示意图;图4.2为光电导元件工作示意图;2.光生伏特效应 ;图2.3 PN结产生光生伏特;PN结用作整流时，其电压—电流;图4.4 PN结的电压电流特;这个电流与前式所示电流方向相反;热释电效应 利;热释电材料有晶体、陶瓷和塑料等;当温度变化时,电偶极矩会发生变;为了使产生的束缚电荷不被中和掉;式中,S为电极面积,dPS/d;图4.5 热释电效应示意图 ;光电转换定律 ;光电探测器的性能参数积分灵敏度;1、 积分灵敏度S ;灵敏度也常称作响应度，它是光电;2、 光谱灵敏度S(λ)与峰值;单色辐射是指光线波长在Δλ→0;3、 相对光谱灵敏度Sr(λ);图4.7 不同敏感材料的光谱;4、量子效率 ;5、 通量阈ΦH ;光电器件的通量阀可以根据特定辐;6、 归一化探测率D* ;7、 转换特性Sz(t)和响应;图4.8 光电器件的转换特性;8、 光电器件的频率特性 ;式中,Sr0为调制频率f=0时;9、 光照特性 ;图4.10 光电器件的光照特性;10、 温度特性 ;11、 伏安特性 ;图4.11 光电器件的伏安特性;光敏电阻 ;光敏电阻的结构如图4.20所示;图4.21 光敏电阻的电极构;1. 具有灵敏度高; ;2. 光敏电阻的基本特性和主要;2) 光照特性? ;图4.22 光敏电阻的光照特;3)光谱特性 ;图4.23 光敏电阻的光谱灵敏;4) 伏安特性 ;由曲线可知: ;但是不能无限制地提高电压,任何;5) 响应时间和频率特性 ;图4.25 光敏电阻的响应时;常用时间常数τ来描述响应时间的;由于不同材料的光敏电阻有不同的;图4.26 光敏电阻的频率特;6) 温度特性 ;图4.27 硫化镉光敏电阻的;温度变化不仅影响灵敏度、暗电阻;图4.28 硫化铅光敏电阻在;7) 稳定性 ;表4.3 光敏电阻的典型参数;光电池 光;1.光电池工作原理 ;图4.29 硅光电池结构示意;图4.30 硅光电池电原理;2.光电池的基本特性 ;图2.31 光电池的光谱特性 ;2)光照特性 ;图2.32 硅光电池的光照特;因此,光电池作为测量元件使用时;图2.33 硅光电池光照特性;3) 频率特性 ;图2.34 光电池的频率特性;4) 温度特性 ;图2.35 硅光电池的温度特性;5) 伏安特性 ;图2.36 硅光电池的伏安特性;6) 稳定性 ;表2.4 几种硅光电池的性能;光电二极管工作原理 ;Evaluation only;当入射光子能量小于Eg时，不论;λc为产生光电效应的入射光的最;利用光电效应可以制造出简单的P;PIN光电二极管 ;Evaluation only;Evaluation only;由于I层吸收系数很小，入射光可;PIN光电二极管具有如下主要特;(2)响应度 响;其中,e为电子电荷，其值为1.;Evaluation only;可以看出，响应度、量子效率随着;(3) 响应时间和频率特性。 ;当光电二极管具有单一时间常数τ;对于幅度一定，频率为ω=2πf;PIN光电二极管响应时间或频率;Evaluation only;由渡越时间τd限制的截止频率:;(4)噪声特性 ;一、量子噪声 量;二、暗电流噪声 ;三、漏电流噪声 表;四、热噪声 任何电;光电二极管的总均方噪声电流为：;雪崩光电二极管(APD)  ;Evaluation only;Evaluation only;如果电压增加到使电场达到200;APD的结构有多种类型，如下图;Evaluation only;APD增加灵敏度的原因 ;成光电流。 3;优、缺点 缺点：伴有;雪崩光电二极管的特性 ;1)倍增因子 定;2） 过剩噪声因子 ;