第四章光与电导探测器.pptVIP

第四章 光电导探测器;1. 定义 光照变化引起半导体材料电导变化的现象称光电导效应。 （内光电效应，photoconductive PC） 当光照射到半导体材料时，材料吸收光子的能量，引起载流子浓度增大，因而导致材料电导率增大。 电导率的改变通过电量测量来获得。;2．半导体的暗电导率 半导体的电导率定义　　 ;3．光辐射改变半导体的电导率;只有光子能量h?大于材料禁带宽度Eg 的入射光才能激发出电子空穴对，使材料产生光电导效应的现象;2）非本征光电导;4．光电导计算;5．光电导电流增益（G） 定义 ;6. 光电导弛豫过程 光电导材料从光照开始到获得稳定的光电流是要经过一定时间的。同样光照停止后光电流也是逐渐消失的。这些现象称为弛豫过程或惰性。 对光电导体受矩形脉冲光照时，常有上升时间常数τr和下降时间常数τf来描述弛豫过程的长短。τr表示光生载流子浓度从零增长到稳态值63%时所需的时间，τf表示从停光前稳态值衰减到37%时所需的时间。;6. 光电导弛豫过程;7. 光电导的光谱分布; 利用具有光电导效应的材料（如硅、锗等本征半导体与杂质半导体，硫化镉、硒化镉、氧化铅等）可以制成电导随入射光度量变化器件，称为光电导器件或光敏电阻。根据半导体材料的分类，将光敏电阻分为两种类型—本征型半导体光敏电阻和掺杂型半导体光敏电阻。 ; 光敏电阻具有体积小，坚固耐用，价格低廉，光谱响应范围宽等优点。;三、光电导探测器的工作原理　;入射光;1.光电导探测器的光电流;n型半导体光敏电阻自由电子的寿命τ0;光电导探测器内增益等于载流子平均寿命τ0与载流子在探测器两极间的渡越时间τd之比。;光敏电阻两端加电压（直流或交流）。无光照时，阻值（暗电阻）很大，电流（暗电流）很小；光照时，光生载流子迅速增加，阻值（亮电阻）急剧减少。在外场作用下，光生载流子沿一定方向运动，形成光电流（亮电流）。;2.1 基本偏置电路 ; 加在光敏电阻上的电压为Rd与RL对电压VA的分压，即U0={Rd/(Rd+RL) }UA，因此，流过负载电阻的电流微变量与光电流的关系为 ;探测器上的偏置电压与Rd无关U0=VA,基本恒定,流过RL输出的电流信号为;输出电压 ;§4-2 光电导探测器的性能参数　;在半导体中,电子和空穴的寿命是相同的;光敏电阻结构; 光敏电阻的基本结构 ;二、光电导探测器的噪声　;电流灵敏度;光电特性;四、光谱特性;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;五、温度特性;六、频率响应及响应时间;七、前历效应;光敏电阻的使用要点;1、Hg1-xCdxTe光电导探测器件 ;2、InSb光电导探测器 ; ;4、PbS光敏电阻 ;随输入光通量??的变化，负载电流的变化?I变为 ; 恒流电路(RLR) ;在晶体管恒流偏置电路中输出电压Uo为 ;b) 恒压偏置 ; 恒压电路(RLR) ;c) 恒功率偏置 ;恒功率偏置电路(RL=RD) ;伏安特性 ;虚线--- 额定功耗（不使电阻的实际功耗超过额定值）;--- 信号电压?U 随Ub的增大而增大 ;为了得到大的电流变化（RL=0时） ;③信噪比S/N;小结;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.; 在实际使用时，常常将光敏电阻的光电特性曲线改用如下图所示的特性曲线。图中所示为两种坐标框架的特性曲线，其中(a)为线性直角坐标系中光敏电阻的阻值R与入射照度EV的关系曲线，而(b)为对数直角坐标系下的阻值R与入射照度EV的关系曲线。 ; 如图所示的对数坐标系中光敏电阻的阻值R在某段照度EV范围内的光电特性表现为线性，即光电转换因子γ保持不变。 ;;满足稳压二极管的工作条件 ;此时的光照度可由γ值计算公式获得 ;;解 分析电路可知，流过稳压二极管的电流满足2CW12的稳定工作条件，三极管的基极被稳定在6V。 设光照度为150lx时的输出电流为I1，光敏电阻的阻值为R1，则;同样,照度为450lx时流过光敏电阻的电流I2与电阻R2为;当输出电压为9V时，设流过光敏电阻的电流为I3，阻值为R3，则 ;由γ值的计算公式可以找到500lx时的阻值R4及 三极管的输出电流I4为 R4=214Ω ;设某只CdS光敏电阻的最大功耗为40mW,