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第9章 光电器件 半导体器件物理 第9章 光电器件 Semiconductor Physics and Devices 半导体器件物理 * 本章内容 辐射跃迁与光的吸收 发光二极管 半导体激光 光探测器 太阳能电池 第9章 光电器件 * 光子和固体内电子间三种主要的相互作用过程：吸收、自发辐射、受激辐射。 击此系统，原本处于基态的原子吸收光子能量跑到激发态。这一过程称为吸收过程。 9.1 辐射跃迁和光的吸收 吸收 如图(a)，原子内的两个能级E1（基态）和E2（激发态）。室温下固体内大多数原子处于基态。能量为hν12=E2-E1的光子撞 第9章 光电器件 * 半导体被光照射，如果hν=Eg，则半导体会吸收光子产生电子-空穴对，如(a)所示。若hνEg，则除产生电子-空穴对外，（hν-Eg）将以热的形式耗散，如(b)所示。 (a)与(b)的过程皆称为本征跃迁（能带至能带的跃迁）。若hνEg，则只有在禁带中存在由化学杂质或物理缺陷所造成的能态时，光子才会被吸收，如(c)所示，这种过程称为非本征跃迁。 光的本征吸收在hνEg或λλc时变得微不足道。 C E V E g E ) ( a ) ( b ) ( c ν h t E C E V E g E ) ( a ) ( b ) ( c t E 截止波长λc为 第9章 光电器件 假设半导体被一光子hν能量大于Eg且光子通量为Φ0（即每秒每平方厘米所具有的光子数）的光源照射，当此光子通量进入半导体时，光子被吸收的比例是与通量的强度成正比。 因此，在一增量距离Δx[图(a)]内，被吸收的光子数目为αΦ(x)Δx，其中α称为吸收系数，由光子通量的连续性可得 负号表示由于吸收作用，导致光子通量强度减少。 代入边界条件：当x=0时，Φ(x)= Φ0，可得上式的解为 * 第9章 光电器件 当x=W[图(b)]时，由半导体的另一端出射的光子通量为 吸收系数α是hν的函数。右下图为几种应用于光电器件的重要半导体的光吸收系数；其中虚线表示非晶硅，是制造太阳能电池的重要材料。 在截止波长λc，α迅速减小，即 因为光的本征吸收在hνEg或λλc时变得微不足道。 * 第9章 光电器件 例：一0.25μm厚单晶硅样品被一能量为3eV的单色光照射，其入射功率为10mW。试求此半导体每秒所吸收的总能量、多余热能耗散到晶格的速率以及通过本征跃迁的复合作用每秒所放出的光子数。 解：由图知单晶硅吸收系数为4×104cm-1，则每秒所吸收的能量为 每一光子能量转换成热能的比例为 因此，每秒耗散到晶格的能量为62.7％×6.3mW≈ 3.9mW。 又因为在1.12eV/光子时，复合辐射需要2.4mW（即6.3mW-3.9mW）的能量，所以每秒通过复合作用放出的光子数目为 * 第9章 光电器件 * 激发态原子不稳定，经短暂时间后，无外来激发就跳回基态，并放出一个能量为hν12的光子，这个过程称为自发辐射[图(b)]。 能量为hν12光子撞击一原本在激发态的原子[图(c)]，使得此原子转移到基态，并放出一个与入射辐射同相位（相干）、能量为hν12光子（单色）。此过程称为受激辐射。 辐射 第9章 光电器件 * 发光二极管的主要工作过程是自发辐射，激光二极管则是受激辐射，而光探测器和太阳能电池的工作过程则是吸收。 设能级E1和E2的电子分布分别是n1和n2。热平衡时，若（E2-E1）＞3kT，根据玻尔兹曼分布 其中，负指数表示在热平衡时n2小于n1，即大多数的电子是处于较低的能级。 稳态时，受激辐射速率和自发辐射速率必须与吸收速率达成平衡，以保持分布n1和n2不变。 第9章 光电器件 * 受激辐射速率正比于光子场能量密度ρ(hν12)，此能量密度是辐射场内单位体积、单位频率的总能量。因此，受激辐射速率可写成B21n2ρ(hν12)。其中，n2是较高能级电子浓度，B21是比例常数。 自发辐射速率只和较高能级的分布成正比，因此可以写成A21n2，其中A21是常数。 吸收速率正比于较低能级电子分布及ρ(hν12)，此速率可写成B12n1ρ(hν12)，其中B12是比例常数。 可见 第9章 光电器件 * 为使受激辐射大于自发辐射，必须要有很大的光子场能量密度ρ(hν12)。为了达到这样的密度，可用一光学共振腔来提高光子场。 假如光子受激辐射光子吸收，则电子在较高能级的浓度会在较低能级的浓度；这种情况称为分布反转（因其与平衡条件下的情况恰好相反）。 粒子数反转是激光产生的必要条件。 受激辐射远比自发辐射和吸收来得重要。 第9章 光电器件 Thanks for listening！ 第9章 光电器件 * 第9章 光电器件 半导体器件物理 *