华中科技大学《光电探测》7.5典型线阵CCD.ppt

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华中科技大学《光电探测》7.5典型线阵CCD

7.5 典型线阵CCD器件 一、TCD1209D的基本结构 二、 TCD1209D的基本工作原理 TCD1209D的驱动脉冲波形图 三、 TCD1209D的特性参数 四、 TCD1209D的驱动电路 五、 TCD1209D的外形尺寸 典型双沟道线阵CCD器件 目前最具有典型性的双沟道器件为TCD1206SUP, 几何尺寸: 二、 TCDl206SUP的驱动电路 三、 TCDl206SUP的驱动电路 四、 TCDl206SUP的特点 4.温度特性 五、 TCD1206SUP的特性参数 * * 典型单沟道线阵CCD 本节将讨论典型的单沟道线阵CCD器件TCD1209D的基本结构、工作原理、驱动电路及其特性参数。 TCDl209D为典型的二相单沟道型线阵CCD图像传感器,其基本结构、工作原理及驱动电路等都具有典型性。 TCD1209D是一种性能优良的线阵CCD器件。它具有速度快,灵敏度高,动态范围宽,像敏单元不均匀性好,功耗低,光谱响应范围宽等优点的器件。 1.光谱响应特性 光谱响应的峰值波长为550nm 短波响应在400 nm处大于70% 光谱响应的长波限在1100nm 2. 灵敏度 线阵CCD的灵敏度参数定义为单位曝光量的作用下器件的输出信号电压,即 式中的UO为线阵CCD输出的信号电压,HV光敏面上的曝光量。 TCD1209D的饱和曝光量SE仅为0.06(lx.s)。 3. 动态范围 动态范围参数DR定义为饱和曝光量与信噪比等于1时的曝光量之比。但是,这种定义的方式不容易计量,为此常采用饱和输出电压与暗信号电压之比代替。这样,动态范围DR为 式中为CCD的饱和输出电压,为CCD没有光照射时的输出电压(暗信号电压)。 显然,降低暗信号电压是提高动态范围的最好方法。动态范围越高的器件品质越高。 由TCD1209D驱动脉冲波形图中可以看出, TCD1209D的驱动器应产 生SH、CR1、CR2、RS、CP等5路脉冲。其中转移脉的周期远远大于其它4路脉冲的周期。 驱动电路 TCD1209D为DIP22封装形式的双列直插型器件, 外形尺寸: 器件的外形尺寸为总长41.6mm,宽10.16mm,高7.7mm;器件的光敏单元总长为28.672mm; 光敏单元(像敏面)距离器件表面玻璃的距离为1.72mm,表面玻璃的厚度为0.7±0.1 mm。 光敏单元的尺寸为:14μm×14μm, 中心距亦为14μm, 光敏元数:2160 阵列总长为30.24mm。 一、 TCD1206SUP的基本结构 TCD1206SUP的驱动脉冲: 1 1 经反向驱动器74HC04P反向后加到TCD1206SUP的相应管脚上。 输出OS信号及DOS信号。 OS:有效光电信号,DOS:补偿信号。 1.驱动简便 2.灵敏度高 3.光谱响应 λm为550nm,与人眼的光谱响应峰值波长很接近。 5.积分时间与暗电压的变化关系 1 TCD1206SUP的特性参数 参 数 名 称 符 号 最小值 典型值 最大值 计量单位 备 注 响应 R 33 45 56 V/lx·s 对于发光二极管(660nm)光源的响应为600 V/lx·s 像敏单元不均匀性 PRNU ? ? 10 % ? 饱和输出电压 USAT 1.5 1.7 ? V ? 饱和曝光量 SE ? 0.037 ? lx·s 暗信号电压 UMDK ? 1 2 mV 所有有效像素单元暗信号的最大值 暗信号不均匀性 DSNU ? 2 3 mV ? 直流功率损耗 PD ? 140 180 mW ? 总传输效率 TTL 92 ? ? % ? 输出阻抗 ZO ? ? 1 kΩ ? 动态范围 DR ? 1700 ? ? 直流信号输出电压 UOS 4.5 5.5 7 V ? 直流参考输出电压 UDOS 4.5 5.5 7 V ? 直流失调电压 ? 20 ? mV ? 7 .0 V 5.5 4.5 VOS 直流信号输出电压 1.0 kΩ — — ZO 输出阻抗 — ? — 92 TTE 总转移

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