原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
SONOS非挥发性存储器件的研究进展
第 30 卷 第 4 期 电 子 器 件 Vol . 30 N o . 4
2007 年 8 月 Chinese J our nal Of Elect r on Devices Au g . 2007
Research Progress of SONOS Nonvolatile Memory Device
FA N G S h aoh ua , C H E N G X i ul an
( )
S chool of M icroelect ronics , S hang hai J i ao Tong Uni vers ity , S hang hai 200030 , Chi na
Abstract :Due to scaling dow n of nonvolatile memory device , SON O S configuration memory i s regar ded a
gain . U lt ra short SON O S device and t wobit SON O S device are int ro duced , an d t he scheme s of changing
silicon nit ride layer and app lying highK mat erial to imp rove p erfor mance of SON O S device are reviewed .
App lyin g highK mat erial in nonvolatile memory device shoul d be more p ro mi sing .
Key words :SON O S device ; nonvolatile memory device ; highk
EEACC :2570D
SO NOS 非挥发性存储器件的研究进展
房少华 ,程秀兰
(上海交通大学微电子学院 ,上海 200030)
摘 要 :随着非挥发性存储器件的尺寸持续缩小 ,SON O S 结构存储器件又重新被重视. 简单介绍超短栅长 SON O S 器件和 2
bit SON O S 器件 ,重点介绍改进氮化硅层和应用 highK 材料 ,来改善 SON O S 器件性能的研究. 认为只要解决 highK 材料在
非挥发性存储器件中的应用 ,具有好的发展前景.
关键词 :SON O S 器件 ;非挥发性存储器件 ;highk
中图分类号 :TN303 文献标识码 :A 文章编号 2007)
伴随着可携带式电子产品的普及 ,如笔记本电脑、 多晶硅栅 ,在栅和俘获电荷的氮化硅层之间为调度
( ( )
手机、记忆卡等 ,非挥发性存储器件 Nonvolatile Mem 二氧化硅层 Blocking Oxide ,在氮化硅层和硅基底
ory Device) ,在半导体存储
文档评论（0）