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物理学毕业论文开题报告模板.doc
物理学毕业论文开题报告模板
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论文题目:基于高阶光栅的高功率单纵模半导体激光器研究
一、选题背景
半导体激光器相比于其他种类激光器具有很多优点,例如:体积小、寿命长、转换效率高、可以直接调制等。这些优点使其广泛应用于通信和信息技术、打印和显示、材料加工、医疗及国防等领域。自 1962 年第一只低温脉冲 GaAs 激光器[1]发明至今,半导体激光器经历了数次技术革新,在高输出功率、高转换效率、高可靠性等方面取得了长足的进步[2]。特别是在当前全球能源紧张的前提下,其作为一种高效节能的激光设备,在工业加工、光通信等领域的作用越来越重要。
随着半导体材料体系不断拓展,半导体激光器的波长由最初的近红外波段不断扩展,目前涵盖了从 400 nm 到 3 mm 的紫外到太赫兹波段。同时,随着材料生长技术、光刻技术以及刻蚀技术等关键工艺不断更新,半导体激光器的输出功率、转换效率和可靠性等性能指标不断提高。这些进步大大增强了半导体激光器的实用性,使其拥有了更广阔的应用前景。
二、研究目的和意义
高功率单纵模半导体激光器在相干光通信、泵浦固体激光器及国防等领域有着其他激光器不可替代的优势。由于传统半导体激光器的谐振腔长尺寸远大于波长量级,无法对光模式形成有效的选频机制,在高功率工作时其光谱会迅速展宽,导致器件的相干性变差,严重地影响其在相干光通信和高分辨光学测试系统中的应用。为从根本上解决这个问题,本论文采用在半导体激光器光波导引入高阶布拉格光栅的方法,利用高阶光栅的散射特性和反射特性进行光模式选择,实现了激光器件的高功率稳定单横模工作。本文主要对高阶布拉格光栅耦合半导体激光器(包括高阶光栅 DBR 激光器和高阶光栅 DFB 激光器)以及单纵模激光器的相干特性进行了研究。
三、本文研究涉及的主要理论
目前商业化的高功率半导体激光器主要位于近红外波段,其波长范围为780-1100 nm。近红外高功率半导体激光器是固体激光器和光纤激光器的重要泵浦光源。而且其在空间光通讯、激光医疗、激光加工及国防等应用领域都有着不可替代的作用。随着这些领域对半导体激光器输出功率的要求不断提高,发展半导体激光器高输出功率技术的重要性不言而喻。近几年来,高功率半导体激光器的性能大幅提升,其中单管激光器的连续输出功率已突破 10 BE,全息光刻光栅法,获得性能良好的 974 nm 波长器件,斜率效率0.72 OPA 结构的 975 nm 波段和 1064 nm 波段的可调谐二极管激光器,最大输出功率 16.3 . Schultz, et al. 10-. Achtenhagen, N. V. Amarasinghe, L. Jiang, et al. Spectral properties ofhigh-poiconductor lasers designed for pulsing in the nanosecond regime [C]. OPTO.International Society for Optics and Photonics, 2010: 76160. Pulka, et al. High-poode fibercoupling of a laterally tapered single-frequency diode laser [J]. 2014 : 1-1.
[9] T. N. Vu, A. Klehr, B. Sumpf, et al. Tunable 975 nm nanoseconddiode-laser-based master-oscillator poplifier system [J]. Optics letters, 2014, 39(17):5138-5141.
[10]T. N. Vu, A. Klehr, B. Sumpf, et al. OPA diode laser system [J].Semiconductor Science and Technology, 2014, 29(3): 035012.
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