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电工学下册复习提纲 9.1.1 本征半导体就是完全纯净的具有晶体结构的半导体。在外电场作用下，形成电子电流和空穴电流。 9.1.2 N型半导体：自由电子是多数载流子，而空穴是少数载流子。P型半导体：空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子。 9.1.3 PN结及其单相导电性： 当在PN结上加正向电压， PN结形成较大的正向电流。PN结呈现低阻，处于导通状态。 当在PN结上加反向电压， PN结形成很小的反向电流。PN结呈现高阻，处于截止状态。 9.2.1 二极管有点接触型、面接触型和平面型三类。 1） 点接触型二极管，结面积小，通过电流小，但高频性能好。一般适用于高频和小功率的工作也用作数字电路中的开关元件。 2） 面接触型二极管，结面积大，可通过大电流。一般用作整流。 3） 平面型二极管，可作大功率整流管和数字电路中的开关管。 9.2.2 二极管的主要参数：最大整流电流ＩOM；反向工作峰值电压URWM；反向峰值电流ＩRM。 9.3.1 稳压管的正常工作状态必须满足的条件： （1）必须加反向电压，且反向电压的大小必须大于稳压管的稳压值UZ。 （2）必须串联限流电阻，其值要使稳压管的电流小于稳压管的最大稳定电流IZM。 9.3.2 稳压二极管的主要参数： 稳定电压UZ；电压稳定系数αU；动态电阻rz；稳定电流IZ；最大允许耗散功率PZM； 9.4.1 晶体管有NPN型和PNP型之分。 晶体管可分成三个区：发射区，基区，集电区。构成两个PN结：发射结，集电极。 9.4.2 晶体管的三种工作状态：放大状态、饱和状态、截止状态。 放大状态：发射结必须正向偏置，集电结必须反向偏置。 饱和状态：发射结处于正向偏置，集电结也处于正向偏置。 截止状态: 发射结处于反向偏置，集电结也处于反向偏置。 9.4.3 晶体管输出特性的四个区域：放大区、饱和区、截止区、过损区。 9.4.4 晶体管的质量参数：电流放大系数β、集—基极反向截止电流ICBO、 集—射极反向截止电流ICEO 。 9.4.5 晶体管的极限参数：集电极最大允许电流ICM、集—射极反向击穿电压U(BR)CEO、 集电极最大允许耗散功率PCM。 9.5.1 光电器件：发光二极管、光电二极管、光电晶体管。 10.1.1 共发射极放大电路的组成，各元件（晶体管，集电极电源电压，集电极电阻，偏置电阻，耦合电容）的作用。信号源和负载电阻是放大电路的外部元件。 10.2.1 放大电路中电压和电流的符号意义：字母和下标的大小写的意义。 10.2.2 掌握交流放大电路的直流通道，确定静态工作点。 10.2.3 掌握交流放大电路的交流通道，晶体管的微变等效电路，交流放大电路的微变等效电路，计算晶体管的输入电阻rbe，放大电路的电压放大倍数，输入电阻，输出电阻。电路元件参数的变化对输入电阻rbe，放大电路的电压放大倍数，输入电阻，输出电阻的影响。 10.2.4 放大电路的非线性失真，饱和失真，截止失真与晶体管工作点的关系。 10.3.1 分压式偏置放大电路，能稳定静态点。 10.3.2工作点稳定的物理过程： VB不变 温度T IC VE UBE IB IC 10.3.3 分压式偏置放大电路，静态和动态的分析，根据放大电路的微变等效电路，计算晶体管的输入电阻rbe，放大电路的电压放大倍数，输入电阻，输出电阻。 10.4.1射极输出器的主要特点是：电压放大倍数接近1；输出电压与输入电压同相；（又射极跟随器）；输入电阻高；输出电阻低。 10.4.2输入电阻高，常作多级放大电路的输入级；输出电阻低，常作多级放大电路的输出级，提高放大电路的带载能力。 10.4.3 射极输出器的静态和动态分析。 10.6.1 电压放大与功率放大的区别： 电压放大：晶体管工作在小信号状态，其功能是输出足够大的电压，并保证电压不失真。 功率放大：晶体管工作在大信号状态，其要求是输出足够大的功率。 10.6.2对功率放大电路的基本要求 （1）在不失真的情况下能输出尽可能大的功率。 （2）考虑信号的失真及晶体管的安全问题。晶体管工作的动态范围大，工作在晶体管特性曲线的非线性区。晶体管在极限状态下工作，要考虑到晶体管的极限参数（PCM，ICM，U（BR）CEO），保证晶体管的安全，避免热击穿而损坏。 （3）由于功率较大，就要求提高效率。即提高负载得到的交流信号功率与电源供给的直流功率之比。 10.6.3 功率放大电路的三种工作状态。静态工作点的特点。 （1）甲类工作状态