11MOSFET基础(MOS结构,CV特性).pptVIP

* 前面所讲均针对理想C-V特性，即无氧化层电荷、界面陷阱。 * * 条件是正施主能级多于中性施主能级。 * * 条件是负受主能级多于中性受主能级。 * * Hxy在5所拍的SEM * EFS表示表面处的费米能级。 * * EFS表示表面处的费米能级。 * * 5 Ε ε epsilon ep`silon 伊普西龙 21 Φ φ fai 佛爱 22 Χ χ [kai] Vt 热电压（热电势） * 反型后随着栅压的增加，反型层的电子浓度将以10的幂次方增加，但空间电荷区的变化却是微弱的。 * * 大部分的实际掺杂在1015～1017之间，所以对应的表面空间电荷区宽度在0.1~1um之间。书上有具体的数值计算自测题。 * 注意，功函数是费米能级与真空能级之差，而亲和能是导带底能级与真空能级之差。 这里的功函数计算没有考虑金属与半导体之间存在氧化层的情况。 * 注意，有了SiO2之后，从金属到Si无需经过真空能级，而只需经过SiO2导带，故金属功函数和电子亲和能被修正（均减去了SiO2的电子亲和能）。修正的功函数和亲和能不是标准定义，但由此而计算出的金属-半导体功函数差与从标准定义下计算出的一样。 * 发现氧化硅的能带弯曲量和半导体的能带弯曲量之和是金属半导体的功函数差。这个公式清楚地说明了功函数差是导致能带倾斜或弯曲的根本原因。 注意这里的功函数和亲和能与SiO2有关。 * 有