6.1电荷耦合器件的基本原理课件.pptVIP

6.1.1 MOS结构特征 对于半导体器件，当金属电极加上正电压时，接近半导体表面的空穴被排斥，电子增多，在表面下一定范围内只留下受主离子，形成耗尽区。该区域对电子来说是一个势能很低的区域，也称势阱。加在栅极上的电压愈高，表面势越高，势阱越深；若外加电压一定，势阱深度随势阱中电荷量的增加而线性下降。 CCD的工作条件： 势阱的深度与存储能力都是由表面势所决定。 * * CCD是能完成光学图像转换、信息存贮和按顺序输出（称自扫描）视频信号的全过程 的光电器件。 它的自扫描输出方式消除了电子束扫描造成的图像光电转换的非线性失真。即CCD图像 传感器的输出信号能够不失真地将光学图像转换成视频电视图像。 与真空摄像器件相比,CCD还有以下优点： (1) 体积小，重量轻，功耗低；耐冲击，可靠性高，寿命长； (2) 无象元烧伤、扭曲，不受电磁场干扰； (3) 象元尺寸精度优于1μm,分辨率高； (4) 基本上不保留残象（真空摄像管有15%～20%的残象）。 (5) 视频信号与微机接口容易。 6.1电荷耦合器件的基本原理 CCD背景介绍 W.S.Boyle与G.E.Smith 1969年秋，美国贝尔实验室的W.S.Boyle和G.E.Smith受磁泡的启示，提出了CCD的概念。CCD是英文Charge Coupled Devic