氮化硅烧结.pptVIP

与Si3N4烧结相关 1.α/β 相变对多孔氮化硅陶瓷介电性能的影响 摘要： 采用反应烧结工艺，通过添加硬脂酸，制备孔径为0.8 mm，孔隙率在55%左右的具有宏观球形孔的低密度多孔氮化硅陶瓷，研究了α/β 相变对多孔氮化硅陶瓷介电性能的影响。通过调节氮化温度和时间，可得到具有不同β 相相对含量(质量分数，下同)的多晶氮化硅陶瓷。 结论 2.YF3助烧剂氮化硅的烧结及力学性能 摘要： 以不同含量的YF3和MgO作为烧结助剂，对Si3N4进行热压烧结，研究了烧结助剂含量对氮化硅陶瓷的相对密度、烧结反应、稀土元素分布以及硬度、强度和断裂韧性等力学性能的影响。实验结果表明，仅添加YF3的样品生成了YSiON四元化合物，而同时添加MgO的样品生成MgYSiO 四元化合物；样品的抗弯强度随YF3和MgO添加量的增加而增加，最高可以达到959 MPa；而硬度则随着YF3的增加从20GPa降低；添加2%YF3(质量分数)氮化硅陶瓷的断裂韧性在(5.5~5.8)×105 MPa·m1/2 之间，随MgO添加量变化不大。 结论 3.常压烧结制备多孔氮化硅陶瓷研究 摘要: 选用Al2O3、Y2O3、Lu2O3 三种氧化物作为烧结助剂，采用凝胶注模成型和气氛保护常压烧结工艺，成功制备了具有高强度和高气孔率的多孔氮化硅陶瓷材料。本文研究了三种烧结助剂对