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模拟电子技术之半导体
§1.2.5 特殊二极管 除普通二极管外,还有许多特殊二极管,如稳压二极管、变容二极管、光电二极管等。 稳压管是一种特殊的二极管, 其伏安特性与普通二极管的差异: (1)反向特性曲线较陡 (2)反向击穿是可逆的(工作于反向击穿区) U I/mA IZmax IZmin ΔIZ ΔUZ –UZ 一、稳压管简介 二、主要参数 1、稳定电压 稳压管稳定工作时 管子两端的电压值 U I/mA IZmax IZmin ΔIZ ΔUZ –UZ UZ + + UZ 3、动态电阻 2、电压温度系数 温度每变化1oC时电压变化的 百分数,表明稳压管的温度稳定性 U I/mA IZmax IZmin ΔIZ ΔUZ –UZ 5、最大稳定电流 4、稳定电流 6、最大耗散功率PZM= UZ IZM 稳压管稳定工作时流过的 参考电流值,实际电流值 应略大于这个值 稳压管允许通过的最大电流 U I/mA IZmax IZmin ΔIZ ΔUZ –UZ 三、含稳压二极管电路的分析方法 (1)含一个稳压管的电路,先求出其阳阴两极的开路电压UO 当UO 0 时同普通二极管 当 –UzUO 0 时反向截止U= UO 当 UO –Uz 时反向击穿 U= –Uz U I/mA IZM IZ ΔIZ ΔUZ –UZ + UZ DZ 限流电阻 例1 已知UZ=5V, UD=0.6V,求Uo=? ①U=10V;②U= –10V;③U=4V 解: (1)当U=10V时, UDO= –10V,稳压管反向击穿, Uo= UZ=5V + UZ (2)当U= – 10V时,稳压管正向导通, Uo= – UD= – 0.6V (3)当U=4V时,稳压管UDO= –4V反向截止, Uo= 4V ①??? U=10V;②??? U= – 10V;③??? U=4V 解:首先分析BO支路的电流。只可能出现两种情形: 1、有电流,则两个稳压管一个反向击穿,一个正向导通 2、没有电流,则两个稳压管均截止。 例2 已知UZ=5V, UD=0.6V,求Uo=? (1)当U=10V时,令O点电位为零,假设2个稳压管 均截止,则UA 0.5V,则DZ1反向击穿, UA=5V, DZ2正向导通 Uo= UZ + UD =5.6V 假设2个二极管均截止,则UA 0.5V, DZ2反向击穿, UA= 5V, DZ1正向导通 Uo= –UZ – UD = – 5.6V (2)当U= – 10V时,设B点电位为零, Uo= 4V (3)当U=4V时,很显然DZ1反向截止,DZ2也截止 双向稳压管 当U Uz 时, UO = Uz 当 U Uz 时,截止UO =U 当 U –Uz 时,UO = –Uz Uz 四、稳压管的应用电路 1.3 半导体三极管(Transistor) 三极管—— 通过特定工艺将两个PN结结合在一起构成的器件 P区空穴浓度大,空穴由P区向N区扩散,在交界面附近的P区留下一些负离子 N区电子浓度大,电子由N区向P区扩散,在交界面附近的N区留下一些正离子 正负离子形成空间电荷区——PN结 P N 内电场 + + + 内电场 阻止P区及N区的多数载流子继续扩散 有利于P区及N区的少数载流子的运动——漂移 一开始是多数载流子的扩散占主导,最后扩散与漂移形成动态平衡 P N 内电场 + + + 一、外加正向电压——P区接电源正极、N区接电源负极 内外电场方向相反,内电场被削弱,空间电荷区变窄,多数载流子的扩散加强,形成较大的电流。 P N 内电场方向 外电场方向 PN结处于导通状态, 导通时PN结呈低阻 §1.1.5 PN结的单向导电性 二、外加反向电压——N区接电源正极、P区接电源负极 P N 内电场方向 外电场方向 内外电场方向相同,内电场被加强,空间电荷区变宽,多数载流子的扩散被阻止,只有由少数载流子漂移形成的很小的电流 PN结处于截止状态, 此时PN结呈高阻 结论:PN结正向导通,反向截止 导通时呈低阻,截止时呈高阻——PN结的单向导电性 P N 内电场方向 外电场方向 如何用万用表判断二极管的P端,N端 三、PN结方程 1 .定义: PN结两端的外加电压和流过PN结的电流I之间的关系为PN结方程。 2 . PN结方程: PN正偏(且∣U∣大于UT几倍以上)时 PN反偏(且∣U∣大于UT几倍以上)时 PN结的伏安特性如下图所示: PN结的伏安特性 §1.1.6 PN结的电容特性 PN结具有一定的电容效应,它由两方面的因素决定: 一是势垒电容CB
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