2012_半导体物理_3_半导体中载流子的统计分布-2014-10-28.ppt

半导体物理学 第3章 半导体中载流子的统计分布 SCNU 光电学院 * 本征载流子浓度 本征费米能级: 任何平衡态非简并半导体载流子浓度积n0p0 等于本征载流子浓度ni的平方； 对确定的半导体料，受式中Nc和Nv、尤其是指数项exp(-Eg/2k0T)的影响，本征载流子浓度ni随温度的升高显著上升。 半导体物理学 第3章 半导体中载流子的统计分布 SCNU 光电学院 * 本征载流子浓度 半导体物理学 第3章 半导体中载流子的统计分布 SCNU 光电学院 * 可以由实验测定高温下的霍耳系数和电导率，从而得到很宽温度范围内本征载流子浓度与温度的关系，作出lnniT-3/2~1/T关系直线; 从直线的斜率可求得T＝0K时禁带宽度Eg(0)=2k0ⅹ斜率，得到锗、硅、砷化嫁的Eg(0)分别为0.78eV,1.21eV和1.53eV，与用光学方法测得的数值相符合。 本征载流子浓度的测量 半导体物理学 第3章 半导体中载流子的统计分布 SCNU 光电学院 * 本征载流子浓度随温度迅速变化; 用本征材料制作的器件其性能很不稳定； 制造半导体器件一般都用掺杂半导体材料。 小结 半导体物理学 第3章 半导体中载流子的统计分布 SCNU 光电学院 * 在一定温度下，施主杂质和受主杂质只是部分电离的，因此存在一定的占据几率。 不同于能带中的能级，杂质能级要么被任意自旋方向的载流子占据，要么没有载流子（处于电离态）。 载流子占据杂质能级的概率不能简单地采用费米分布函数来描述。 电子和空穴占据杂质能级的几率 电子占据施主能级的概率是： 空穴占据受主能级的概率是： gD是施主能级的基态简并度， gA 是受主能级的基态简并度，通常称为简并因子，对锗、硅、砷化镓等材料，gD ＝2，gA ＝4。 半导体物理学 第3章 半导体中载流子的统计分布 SCNU 光电学院 * 施主和受主能级上的载流子浓度 施主能级上的电子浓度为： 施主浓度ND 和受主浓度NA 就是杂质的量子态密度，而电子和空穴占据杂质能级的概率分别是fD(E) 和 fA(E) 电离施主的浓度为： 受主能级上的空穴浓度为： 电离受主的浓度为： 半导体物理学 第3章 半导体中载流子的统计分布 SCNU 光电学院 * 即当费米能级EF远在ED之下时，可以认为施主杂质几乎全部电离。 反之，EF远在ED之上时，施主杂质基本上没有电离。 当ED与EF重合时，如取gD=2，nD＝2ND/3, 而n+D ＝ND/3，即施主杂质有1/3电离，还有2/3没有电离。 施主能级的电离 半导体物理学 第3章 半导体中载流子的统计分布 SCNU 光电学院 * 即当费米能级EF远在EA之上时，可以认为受主杂质几乎全部电离。 反之，EF远在EA之下时，受主杂质基本上没有电离。 当EA与EF重合时，如取gA=4，nA＝4ND/5, 而n+A ＝NA/5，即受主杂质有1/5电离，还有4/5没有电离。 受主能级的电离 EA 半导体物理学 第3章 半导体中载流子的统计分布 SCNU 光电学院 * 杂质半导体的情况比本征半导体要复杂得多，我们考虑只含一种施主杂质的n型半导体，计算它的费米能级与载流子浓度。 n型半导体的载流子浓度 半导体物理学 第3章 半导体中载流子的统计分布 SCNU 光电学院 * 电中性条件 弱电离区、中间电离区、强电离区、饱和区、过渡区、本征电离区 半导体物理学 第3章 半导体中载流子的统计分布 SCNU 光电学院 * 弱电离区 弱电离：当温度很低时，大部分施主杂质能级仍为电子所占据