烧结工艺对ITO靶材致密度与电阻率的影响.pdf

学兔兔 第 20卷第 4期 粉末冶金材料科学与工程 2015年8月 、r01．2ONo．4 M aterialsScienceandEngineeringofPowderMetallurgy Aug．2015 烧结工艺对 ITO靶材致密度与电阻率的影响 张明杰， 陈敬超，彭 平，于 杰 (1．昆明理工大学 稀贵及有色金属先进材料教育部重点实验室； 云南省新材料制备与加工重点实验室，昆明 650093) 摘 要：以等离子电弧法制备的铟一锡氧化物(indium．tinoxide，ITO)纳米粉末为原料，采用冷等静压—烧结工艺制 备 ITO靶材，用排水法和涡流导电仪分别对 ITO靶材的致密度和电阻率进行测量，研究烧结温度、升温速率、烧 结时间以及气氛压力对靶材致密度和电阻率的影响。结果表明，在烧结温度为 1550℃、升温速率为500℃／h、 烧结时间 8h、氧气气氛压力为 0．02MPa条件下制备的 ITO靶材致密度和电阻率分别为 99．54％和 1．829×10 Qe·m，能够满足高端光伏、液晶显示屏(LCD)等领域对ITO靶材致密度和电阻率的要求。 关键词：烧结温度；升温速率；烧结时间；气氛压力；电阻率 中图分类号：TB34，TB332 文献标识码：A 文章编号：1673-0224(2015)4．623-08 Effectofsinteringprocessonthedensityandresistiviyt oflTO targetmaterials ZHANGMing-jie，CHENJing-chao，PENGPing，YUJie (TheKeyLaboratoryofPreciousn·onferrousMetalsAdvancedMaterials，MinistryofEducationofChina； TheKeyLaboratoryofAdvancedMaterialsofYunnna Province， KunmingUniversityofSciencenadTechnology,Kunming650093，China) Abstract：Theinfluencesofthesinteringtemperature，heatingrate，sinteringtimeandatmospherepressureonthedensiyt andresistiviytof(indium—tinoxide，ITO)targetprepraedbycoldisostaticpressing—sinteringprocessusinghteplasmaarc nanoscaleITOpowderastheraw materialwerestudied．Thedensiyt andresistivityofITOtargetweremeasuredby drainageandeddyconductiviytmeter,respectively．Theresultsshow thathtedensitynadresistiviyt ofhteITO target preparedatthesinteringtemperautreofl550 ℃，heatingrateof500 ℃ ／Il，sinteringtimeof8h，oxygenamtosphere pressureof0．02MParae99．54％ and1．829×10 Q cm．respectively,whichCna meettheapplicationrequirementsof high—g