第六沼肼 二元Ⅲ-Ⅴ族化合物的制备及其特征.pptVIP

二元Ⅲ-Ⅴ族化合物的制备及其特征 6-1 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的特性 回忆: 硅的晶体结构;如何形成 6-1-2 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的能带结构 锗和硅的能带结构 GaAs 能带结构与Si、 Ge 能带结构相比，特点如下： 1. GaAs 的导带极小值与价带极大值都在K＝0，这种能带结构叫做直接跃迁型；而Si、 Ge 的极大和极小值所在的K值不同，这种能带结构叫做间接跃迁型。 2. GaAs 在100方向上具有双能谷能带结构，即除k＝0处有极小值外，在100方向边缘上存在另一个导带极小值，比中心极小值仅高0.36eV。因此电子具有主次两个能谷。 3. GaAs的最高工作温度450℃.硅:250℃ 锗:100℃ GaP间接跃迁型材料 发光效率比直接跃迁型材料低 但是如果某些杂质在GaP中可形成发光的辐射复合中心,使GaP从间接跃迁到直接跃迁转化,发光效率会提高. 在半导体中，电子和空穴可以是自由运动的，也可以是被束缚的。 电子由价带激发到导带，就形成自由的电子和空穴 电子由价带激发到导带下面的一个激发态而未到达导带的时候，电子将被束缚在空穴的库仑场中，又不与空穴复合而形成激子。 激子：电子与空穴间的库伦引力使两者处于束缚状态，这种被束缚的电子空穴对就叫激子。 (补充)等电子杂质指与点阵中被替代的原子处于周期表中同一族的其他原子。例如 GaP