7.磁电式传感器1_2008课件.pptVIP

7.3.1 霍尔效应 霍尔电势 灵敏度系数 霍尔系数 7.3.1 霍尔效应 一般金属材料载流子迁移率很高, 但电阻率很小; 而绝缘材料电阻率极高, 但载流子迁移率极低。故只有半导体材料适于制造霍尔片。 目前常用的霍尔元件材料有: 锗、 硅、砷化铟、 锑化铟等半导体材料。 其中N型锗容易加工制造, 其霍尔系数、 温度性能和线性度都较好。N型硅的线性度最好, 其霍尔系数、 温度性能同N型锗相近。锑化铟对温度最敏感, 尤其在低温范围内温度系数大 7.3.1 霍尔效应 霍尔片 控制电流端引线 霍尔引出端引线 激励电极 霍尔电极 7.3.2 霍尔元件的电磁特性 UH～I 特性 UH～B 特性 R～B 特性 指霍尔元件的输入 电阻与磁场之间的 关系。 霍尔元件的内阻随磁场的绝对值增加而增加的现象称为磁阻效应 磁阻效应的物理本质 对某种速度运动的电子，若霍尔电场作用力恰好抵消洛仑磁力，电子沿直线运动，小于此速度的电子将沿霍尔电场方向偏转，而大于此速度的电子将沿洛仑磁力方向偏转。这种偏转将使沿控制电流方向的电流密度减小，也就是由于磁场的存在增加了元件的内阻 7.3.2 霍尔元件的误差与补偿 1. 零位误差 当霍尔元件通以控制电流而不加外磁场时，其输出端 仍然存在空载电动势，称为不等位电势 7.3.2 霍尔元件的误差与补偿 不等位电势的补偿 使霍尔电极对称 补偿电路 D R1 R2 C B A R3 R4 7.3.2 霍尔元件的误差与补偿 W A B D R2 R3 R4 R1 C W A D C B W D C A B W A B D R2 R3 R4 R1 C W D C A B B W B D R2 R3 R4 R1 A C 7.3.2 霍尔元件的误差与补偿 温度误差 由于霍尔元件一般由半导体材料制成，而半导体材料的电阻率、迁移率和载流子浓度都随温度变化，因此其性能参数如输入电阻、输出电阻和霍尔常数等也随着温度而变化，从而导致霍尔电势变化，产生温度误差 温度误差补偿 恒流源供电，输入回路并联电阻 I UHt UH I RP Ri(t) Rt(t) RP I UH I 温度误差补偿 霍尔元件的灵敏系数KH也是温度的函数, 它随温度的变化引起霍尔电势的变化。霍尔元件的灵敏度系数和输入电阻与温度的关系可写成 设初始温度为T0, 霍尔元件输入电阻为Ri0, 灵敏系数为KH0, 分流电阻为Rp, 根据分流概念得 温度误差补偿 当温度升至T时, 电路中各参数变为 虽然温度升高ΔT, 补偿电路必须满足温升前、 后的霍尔电势不变 温度误差补偿 恒压源供电，输入回路串联电阻进行补偿 E I UH R UHt Rt(t) R I UH E Ri(t) 温度误差补偿 恒流源供电，利用输出回路的负载进行补偿 UH I I RL UHt Ri(t) Rt(t) RL I UH I 温度误差补偿 温度误差补偿 热敏电阻具有负温度系数，电阻丝具有正温度系数 （a）、（b）、（c）中的霍尔元件具有负温度系数 （d）中的霍尔元件具有正温度系数 温度误差补偿 E2 w1 w2 E1 w3 R2 R3 R4 R1 Rt UHt 调节电位器W1可以消 除不等位电势。电桥由 温度系数低的电阻构成， 在某一桥臂电阻上并联 一热敏电阻。当温度变 化时，热敏电阻将随温 度变化而变化，使电桥 的输出电压相应变化，只要仔细调节，即可补偿霍尔电势的变化，使其输出电压与温度基本无关 温度误差补偿 已知某霍尔元件尺寸为长l= 10mm，宽b = 3.5mm，厚d = 1mm。沿l方向通以电流I= 1.0mA，在垂直于b×l面方向上加均匀磁场B = 0.3T，输出霍尔电势UH = 6.55mV。求该霍尔元件的灵敏度系数KH和载流子浓度n是多少？ UH b l d I FL B 第七章 磁传感器 第一节 磁电式传感器的原理与结构 第二节 电磁血流量计 第三节 霍尔传感器 磁电式传感器 磁电感应式传感器, 是利用电磁感应原理将被测量转换成电信号的一种传感器。 不需要辅助电源就能把被测对象的机械量转换成易于测量的电信号, 是有源传感器 输出功率大且性能稳定, 具有一定的工作带宽（10～1KHz） 7.1.1 基本原理 根据电磁感应定律，当W匝线圈在均恒磁场中运动时，设穿过线圈的磁通为φ，则线圈的感应电势e为： 负号表示感应电动势总 是反抗磁通量的变化 7.1.1 基本原理 当线圈在磁场中作直线运动时，它所产生的感生电势为： 7.1.1 基本原理 当线圈在磁场中转动时产生的感应电势e为： 7.1.1 基本原理 在线圈结构一定的情况下，这种线圈的感应电势与线圈对磁场的相对运动速度v(或者ω)成正比，可以用于测量速度和角速度 由于速度与位移存在积分关系，与加速度存在微分关系，通过在电路中接入积分