《宽禁带半导体发光材料》2.2氮化物材料测试技术2.pdfVIP

  • 4
  • 0
  • 约9.72千字
  • 约 44页
  • 2017-05-23 发布于浙江
  • 举报

《宽禁带半导体发光材料》2.2氮化物材料测试技术2.pdf

《宽禁带半导体发光材料》2.2氮化物材料测试技术2

大纲 2.2.1 X-ray diffraction, XRD 2.2.2 Photoluminescence spectroscopy, PL 2.2.3 Cathodoluminescence spectroscopy, CL 2.2.4 Scanning electron microscopy, SEM 2.2.5 Transmission electron microscopy, TEM 2.2.6 Atomic force microscopy, AFM 2.2.7 Second ion mass spectroscopy, SIMS 2.2.8 Hall effect 2 2.2.5 Transmission Electron Microscopy, TEM TEM工作原理 • 以波长极短的电子束作为照明源 ,用电磁透镜聚焦成像的一种具 有高分辨本领、高放大倍数的电 子光学仪器 TEM表征技术 • 可以进行EELS,EDS,TEM和高分辨TEM表征 5 TEM与光学显微镜 6 截面样品的制备 生长面 衬底 压制 0.5 mm 2.5 mm 2 mm TEM应用-硅基GaN外延层微结构分析 LED全结构片(蓝光生长条件) 8 9 10 11 (1-101) p-GaN EBL GaN c面 MQWs n-GaN 12 a b (1-101)面 GaN c面 13 C面In组分变化: 14 (1-101)面In组分变化

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档