4H-SiC材料p型掺杂的电子结构第一性原理研究.pdf

2017年3月 伊犁师范学院学报（自然科学版） Mar.2017 第11卷 第1期 JournalofYiliNormalUniversity（NaturalScienceEdition） Vol.11 No.1 4H-SiC材料p型掺杂的电子结构 第一性原理研究 1 1 1 1 1，2* 彭彩云 ，王艳辉 ，张 航 ，张晓旭 ，张丽丽 （1.伊犁师范学院 物理科学与技术学院，新疆凝聚态相变与微结构实验室，新疆 伊宁 835000； 2.南京大学 物理学院，国家固体微结构重点实验室，江苏 南京 210093） 摘摘 要要：：应用基于第一性原理平面波超软赝势方法，对六方相4H-SiC掺杂Ⅲ主族B、Al、Ga元 素体系的晶格常数、能带结构、电子态密度、布居数进行了计算.计算结果表明：B、Al、Ga元素掺杂 后，体