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该团队在传统 肖特基半导体的金属和半导体材料之间插人了石墨烯，制备出 了一种新型的肖特基二极管，这项新发明全面超越了现有技术，在促进半导体行 业发展上被寄予厚望。 该研究成果已经发布在了 2017年 1月份的 《NanoLetters))杂志上，论文题 目 为 ：StrongFermi—LevelPinningatMetal／n-Si(001)InterfaceEnsuredbyForminganIn— tactSchottkyContactwithaGrapheneInsertionLayer。 肖特基二极管是以其发明人 肖特基博士(Schottky)命名的，SBD是 肖特基势 垒二极管(SchottkyBarrierDiode，缩写成 SBD)的简称。SBD不是利用 P型半导体 与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金 属一半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属一半导体(接触)二极管或表面 势垒二极管，它是一种热载流子二极管。 然而，由于 肖特基半导体金属一半导体界面处的原子会产生混合，产生接触 电 阻，造成二极管的性能不能达到理想状态(当电压被施加正向偏置时，理想二极管 用作完美导体，并且当电压被施加反 向偏置时，理想二极管类似于完美的绝缘 体)。接触电阻对于肖特基半导体的物理性能非常重要 ，接触电阻的大小直接影 响器件的性能指标 。 KibogPark教授通过在金属一半导体界面插入石墨烯层解决了这个问题。在 研究中，研究团队证明，由单层碳原子组成的石墨烯层不仅可以基本上抑制金属 和半导体材料混合，而且与理论预测很好地匹配。 Park教授说：“石墨烯片中的每个石墨烯层之间有一定的空间，具有量子力学 层面的高电子密度 ，导致没有原子可以穿过。因此，利用夹在金属和半导体之间 的这种单层石墨烯 ，可以克服原本不可避免的原子扩散问题。 该研究还证实了之前的理论预测，即 “在硅半导体中，不论其使用的金属的类 型，结表面的电性质几乎不改变”，HoonHahnYoon该项研究的第一作者说。 该研究还利用内部光电子发射方法测量新制造的金属 ／石墨烯 ／n-Si(001)结 二极管的电子能垒。这个系统 由四位 UNIST的研究生 (HoonHanYoon，Sung— chulJung，GahyunChoi和JunhyungKim)开发 ，作为本科研究项 目的一部分在 2012 年进行，并得到韩国基础推进科学与创意(KOFAC)资助。 美国国家航空航天局试验证实碳化硅 (SiC) 集成 电路可用于金星探测任务 美国航天航空局 (NASA)格伦研究 中心的科学家近期完成了一项技术展 示——使用碳化硅 (SIC)集成电路的电子器件在金星表面恶劣大气环境下首次长 时间工作，证实该技术能够支撑在金星表面开展更多科学任务。 背景 由于金星表面上的极端大气环境状况，现有金星探测器只能在金星表面工作 几个小时。金星表面温度大约是 46O~C，高于大多数微波炉；有一个高压力 (9． 4MPa)且呈酸性的CO2环境。由于商用电子器件并不工作在此环境下，过去金星 探测器上的电子器件通常放在抗热和抗压舱 中进行保护。这些舱只能持续几个 小时，并给航天任务增加不小的质量和成本。 技术基础 在今年早些时候，研究团队在地球大气环境下的微波炉中进行了一次测试， 展示了几乎同样的SiC集成电路可在 482温度工作超过 1000小时。该 SiC集成 电路最早设计用于节能高效的航空发动机。 试验概述 为了克服金星表面温度和大气环境所带来的挑战，研究团队研发和制造了极 其耐用的SiC半导体集成电路——4H—SiC结型场效应管环形振荡器集成 电路。 然后他们在格伦极端环境设备(GEER)中测试两个这样的芯片。该 GEER能够精 确地模拟所预计的金星表面环境。 (a)近完全的组装体 ，是一个 3mmX3mm的11阶SiC环形振荡器芯片，附着 在一个陶瓷基底和 由玻璃纤维包裹的线束中。 (b)在进行热i贝4试之前的完整封装体，带有网筛状帽子，可使芯片浸入模拟的 金星大气环境中。 (c)经过 21．7天的仿真测试后，去掉网筛状帽子。 (d)移去镍合金线后 ，进行电性能测量。 试验结果 经过试验，电路对金星表面温度和大气环境的耐受时长达到 521小时，是此 前展示的金星探