Bi2MoO6纳米薄膜制备及其光电性能.pdf

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2017-05-23 发布于湖北
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理化学学报(Wuli Huaxue Xuebao) November A cta Phys. Chim. Sin., 2007, 23(11) ：1671-1676 1671 [Article] Bi MoO 纳米薄膜的制备及其光电性能 2 6 毅宗瑞隆朱永法 (清华大学化学系, 北京 100084) 摘要：采用非晶态配合法在ITO 导电玻璃上制备了Bi MoO 薄膜. 采用扫描电子显微镜(SEM) 、X 射线衍射 2 6 (XRD) 、激光拉曼光谱(LRS)、紫外可见漫反射谱(DRS)、光电流响应谱、光电转换量子效率(IPCE)等技术研究了 Bi MoO 薄膜的制备工艺、形貌、结构与薄膜光电性能的关系. 结果表明, 500 益、1 h 焙烧后的Bi MoO 薄膜为 2 6 2 6 Bi MoO 晶相, 沿(131)晶方向生长, 薄膜厚度约为69 nm. 随着焙烧温度的升高和焙烧时间的延长, Bi MoO 薄 2 6 2 6 膜的平均颗粒度增大, 并且在525 益焙烧出现茁 Bi MoO 和忆 Bi MoO 晶相. Bi MoO 薄膜具有可见光响应活 2 6 2 6 2 6 性, 在可见光照射下可以产生光电流, 优化条件下的Bi MoO 薄膜在400 nm 的光电转换量子效率可以达到 2 6 2.14%. 薄膜的光电响应和光电转换量子效率受薄膜形貌及结晶状态影响, 可以通过控制薄膜的制备条件来提高薄膜的光电转换量子效率. 关键词： Bi MoO 薄膜; 非晶