第二章双极晶体管的直流特性.PDF

2.2 双极晶体管中的电流传输 本节内容： 第二章 理想晶体管中的电流传输 双极晶体管的直流特性 分析BJT 的基本工作原理 缓变基区 BJT 的基区是产生放大作用的根本原因之一，研 究基区的载流子分布和电流分布是研究BJT工作 2.2 双极晶体管中的 原理的基础 双扩散晶体管的基区渡越时间和根摩尔数 电流传输 实际BJT 的求解 重掺杂发射区；发射区的求解 半导体器件第二章 1 半导体器件第二章 2 2.2 双极晶体管中的电流传输 2.2 双极晶体管中的电流传输 双极晶体管的四个工作区 BJT 的电流方向 正向有源区——发射结正偏，集电结反偏 反向有源区——发射结反偏，集电结正偏 V pnp 截止区—— EB ( ) V (npn) 两个结都反偏 BE 饱和区—— 两个结都正偏 Active Saturation V pnp CB ( ) V (npn) BC Cutoff Inverted 半导体器件第二章 3 半导体器件第二章 4 2.2 双极晶体管中的电流传输 2.2.1 理想BJT 中的电流传输 双极型晶体管使用时，有共基极、共发射极和共 2.2.1 理想晶体管中的电流传输 集电极三种接法。 理想晶体管： 杂质均匀分布 PN结是理想平面结 横向尺寸远大于基区宽度 发射区和集电区宽度远大于少子扩散长度 发射区和集电区电导率足