- 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
A4横书单栏-高雄市立小港高中
高雄市立小港高中九十六學年度第二學期第二次月考三年級物理科試卷
範圍:高中物理22-1~24-3(南一版)
庫侖常數k=9(109 N-m2/C2;基本電量e=1.6(10-19C
第 壹 部 分:選 擇 題(佔80分)
單 選 題 (40分)
說明:第1題至第10題,每題選出一個最適當的選項,標示在答案卡之「選擇題答案區」。每題答對得4分,答錯倒或劃記多於一個選項者扣1分,倒扣到本大題之實得分數為零為止,未作答者,不給分亦不扣分。
在純矽(或鍺)的晶體內摻入第3A族的元素,所形成的半導體為p型半導體,所摻入第3A族原子,稱為 (A)施體 (B)受體 (C)多數載子 (D)少數載子B
附圖(a)是二極體電流-電壓特性曲線的近似圖,則圖(b)中的電流大小為多少安培? (A)0.45 (B)0.62 (C)0.81 (D)0.93 D
附圖的電晶體為 (A) pnp雙極性接面電晶體 (B) npn雙極性接面電晶體 (C) PMOS (D) NMOS D
一離子束垂直電力線入射於板長,電場E的平行金屬板中,造成偏向位移d。今在金屬板間加一均勻磁場B與電場垂直,結果離子束筆直通過,則該離子的荷質比為多少? (A) (B) (C) (D) A
在康卜吞效應中,以頻率ν之X射線光子撞擊一靜止之電子,碰撞後光子的運動方向與原方向垂直,電子則與原方向夾θ角,則碰撞後電子的動量大小為多少? (A) hν/c (B)(hν/c)cosθ (C)(hν/c)secθ (D)(hν/c)sinθ (E)(hν/c)tanθ C
如果電子的電量修正為現在的1/2,則波耳氫原子模型中電子的穩定軌道半徑,將作何修正? (A)與電子電量無關,半徑維持不變 (B)半徑變為現有的1/2倍 (C)半徑變為現有的2倍 (D)半徑變為現有的4倍 D
在波耳的氫原子模型中,若E為電子的總能量,f為電子作圓軌道運動的頻率,h為卜朗克常數,則當量子數為n時,下列E與f的關係式,何者正確? (A) E=-n2hf (B) E=-nhf (C) E=n2hf (D) E=nhf (E) E=-nhf E
已知鉀的功函數為2.1 e.v.,現以波長為400 nm的紫光照射鉀金屬的表面,則放射出的光電子最大動能為多少? (A) 0.5 e.v. (B) 0.8 e.v. (C) 1.0 e.v. (D) 1.2 e.v. C
下列有關近代物理的重大發現,何者正確? (A)卜朗克首先提出「光子」的概念,成功的解釋黑體輻射 (B)光電效應與康卜吞效應證實光的粒子性 (C)侖琴發現X射線,並證實它是一種電磁輻射 (D)湯木生(J.J.Thomson)發現電子,並證實它是自然界中的基本電量 (E)德布羅意提出物質波的理論,成功圓滿地解釋光的二象性 B
在300K的溫度下,作熱運動的氣體分子,其相對應的物質波長為多少?(假設卜朗克常數為h,氣體分子質量m,波茲曼常數k)(A) (B) (C) (D) A
多 選 題(40%)
說明:第11題至第18題,每題各有5個選項,其中至少有一個是正確的。選出正確選項,標示在答案卡之「選擇題答案區」上。每題5分,各選項獨立計分,每答對一個選項,可得1分,每答錯一個選項,倒扣1分,完全答對得5分,整題未作答者,不給分亦不扣分。在備答選項以外之區域劃記,一律倒扣1分。倒扣到本大題之實得分數為零為止。
下列關於半導體的敘述,何者正確? (A)電洞的運動方向和價電子的運動方向相同,因此通過半導體內的電流,應合併計算由自由電子和電洞所形成的電流 (B)電洞和自由電子同樣承擔半導體內的導電工作 (C)在純矽(或鍺)晶體內,電洞和自由電子的數目相同 (D)在n型半導體中,自由電子的數目遠大於電洞的數目,因此自由電子為多數載子,電洞為少數載子,由自由電子來擔任主要的導電任務 (E)在p型半導體中,自由電子的數目遠大於電洞的數目,因此自由電子為多數載子,電洞為少數載子,由自由電子來擔任主要的導電任務 BCD
下列有關半導體的敘述,哪些正確? (A)不含雜質的純半導體材料,其電子、電洞的密度相同 (B)純的半導體材料溫度越高時,電子、電洞的密度越大 (C)矽半導體加入5價雜質,會形成P型半導體 (D)二極體的P、N接觸面形成一空乏區,空乏區的P型部分帶正電 (E)PNP三極體的基極為N型半導體ABE
設受電壓V加速的電子可產生的X射線最短的波長為λ,則: (A)電子所得的動能eV全部轉X射線光子的能量hc/λ (B)λ和V成正比 (C)λ和V的乘積為一常數hc/e (D)λ和V關係圖的斜率等於常數hc/e (E)λ和1/V關係圖的斜率等於hc/e ACE
關於黑體輻射,下列敘述何者正確? (A)熱輻射射到黑體上,會被完全吸收 (
原创力文档


文档评论(0)