热载流子效应对器件可靠性的影响.pdf

重庆邮电大学研究生堂下考试答卷 2011-2012 2 年第22学期 考试科目 微电子器件可靠性 姓 名 徐 辉 2011 年 级 专 业 微电子与固体电子学 S110403010 学 号 SS111100440033001100 2012 5 25 55月2255日 热载流子效应对器件可靠性的影响 徐辉 （重庆邮电大学 光电工程学院，重庆 400065） 摘要：介绍了几种热载流子以及MOSFET的热载流子注入效应。在此基础上总结了热载流 子注入效应对MOS器件可靠性的影响。随着MOS器件尺寸的缩小和集成电路规模的增大， 热载流子效应显得更加显著。最后介绍了几种提高抗热载流子效应的措施。 关键词：热载流子；热载流子注入效应；可靠性 EffectsofHot-carriersInjectionEffectontheReliability XuHui (College ofPhotoelectricEngineering,ChongqingUniversityofPostsandTelecommunications,Chongqing, 400065,P.R.China) Abstract: AAbbssttrraacctt::The effect of hot carrier and the MOSFET hot-carriers injection are reviewed.On this basis, the hot-carriers injection effect on the reliability of MOS devices are summed up.With the increasingsizeofMOSdevicesshrinkin sizeandintegrated circuits, thehot-carrierseffectiseven moresignificant.Finally,severalmeasurestoimprovethethermalcarriereffectsareintroducted. Keywards: KKeeyywwaarrddss::hotcarrier;hot-carriersinjectioneffect;reliability 器件以及大规模集成电路中，容易 0 00 前言 出现热载流子。 随着VLSI 集成度的日益提高， 在使用条件下，MOSFET 会遇 [1] MOS器件尺寸不断缩小至亚微米乃至 到四种类型的热载流子 ； 深亚微米级，热载流子效应已成为影 沟道热载流子(CHC)；衬底热载 响器件可靠性的重要因素之一。从第 流子(SHC)，漏端雪崩热载流子 一次意识到热载流子可导致器件退化 (DAHC) ； 和 二 次 产 生 热 电 子 以来，有关 MOSFET热载流子效应的 (SGHE)。 研究已持续了近30年。热载流子注入 沟道热载流子(CHC)：热