7第七章气相沉积技术.ppt

5.1、化学气相沉积原理 化学反应类型 6 碳化反应：?????? TiCl4 ＋ CH4 --- TiC ＋ 4HCl 7 歧化反应：???? ?? 2SiI2 --- Si ＋ SiI4 8 合成反应：? ? (CH3)3Ga ＋ AsH3 --- GaAs ＋ 3CH4 9 基体反应：? ? ? Ti ＋ 2BCl3 ＋ 3H2 --- TiB2 ＋ 6HCl 5.1、化学气相沉积原理 化学反应类型 10 等离子体激发反应： 用等离子体放电使反应气体活化，可以在较低温度下成膜。 11 光激发反应： 如在SiH-O2反应系中使用水银蒸气为感光物质，用紫外线照射，可在100℃左右制备硅氧化物。 12 激光激发反应： 如有机金属化合物在激光激发下有 W(CO)6 --- W + 6CO 化学气相过程 5.1、化学气相沉积原理 反应气体扩散至工件表面； 1 反应气体分子被基材表面吸附； 2 在基材表面产生化学反应，形核等； 3 生成物由表面解吸； 4 生成物从基材表面扩散离开。 5 ①将反应气体及其稀释剂通入反应器，并能进行测量和调节； ②能为反应部位提供热量，并通过自动系统将热量反馈至加热源，以控制涂覆温度。 ③将沉积区域内的副产品气体抽走，并能安全处理。 5.2、工艺方法 工艺方法的共性 ①反应器内的温度。 ②进入反应器的气体或蒸气的量与成分。 ③保温时间及气体流速。 ④低压CVD必须控制压强。 5.2、工艺方法 工艺方法的主要参量 5.3、CVD的特点 ① 在中温或高温下，通过气态的初始化合物之间的气相化学反应而沉积固体； ② 可以在大气压(常压)或者低于大气压(低压)下进行沉积。一般说低压效果要好一些； ③ 采用等离子和激光辅助技术可以显著地促进化学反应，使沉积可在较低的温度下进行； ④ 镀层的化学成分可以改变，从而获得梯度沉积物或者得到混和镀层； 5.3、CVD的特点 ⑤ 可以控制镀层的密度和纯度； ⑥ 绕镀性好，可在复杂形状的基体上以及颗粒材料上镀制； ⑦ 气流条件通常是层流的，在基体表面形成厚的边界层； ⑧ 沉积层通常具有柱状晶结构，不耐弯曲。但通过各种技术对化学反应进行气相扰动，可以得到细晶粒的等轴沉积层； ⑨ 可以形成多种金属、合金、陶瓷和化合物层。 5.4、CVD的应用 CVD镀层可用于要求抗氧化、耐磨、耐蚀以及某些电学、光学和摩擦学性能的部件。 现在，越来越受到重视的一项应用是制备难熔材料的粉末和晶须，因此，CVD法在发展复合材料方面也具有非常大的作用。 5.5、PVD和CVD的对比 温度 CVD法的工艺温度超过了高速钢的回火温度，用CVD法镀制的高速钢工件，必须进行镀膜后的真空热处理，以恢复硬度。镀后热处理会产生不容许的变形。 清洁度 CVD工艺对进入反应器工件的清洁要求比PVD工艺低一些，因为附着在工件表面的一些脏东西很容易在高温下烧掉。此外，高温下得到的镀层结合强度要更好些。 5.5、PVD和CVD的对比 镀层厚度 CVD镀层往往比各种PVD镀层略厚一些，前者厚度在7.5μm左右，后者通常不到2.5μm厚。 表面粗糙度 CVD镀层的表面略比基体的表面粗糙些。相反，PVD镀膜如实地反映材料的表面，不用研磨就具有很好的金属光泽，这在装饰镀膜方面十分重要。 5.5、PVD和CVD的对比 绕镀性 CVD具有很好的绕镀性，除去支承点之外，全部表面都能完全镀好，甚至深孔、内壁也可镀上。PVD由于气压较低，绕镀性较差，因此工件背面和侧面的镀制效果不理想。 工艺条件 在CVD工艺中，要严格控制工艺条件，否则系统中的反应气体或反应产物的腐蚀作用会使基体脆化，高温会使TiN镀层的晶粒粗大。 5.5、PVD和CVD的对比 成本 有人认为最初的设备投资PVD是CVD的3－4倍，而PVD工艺的生产周期是CVD的1/10。综合比较而言，采用PVD要比CVD代价高。 安全 PVD是一种完全没有污染的工序。而CVD的反应气体、反应尾气都可能具有一定的腐蚀性，可燃性及毒性，因此对设备、环境、操作人员都必须采取一定的措施加以防范。 小 结 名词概念 气相沉积法 物理气相沉积 化学气相沉积 蒸发镀 蒸发源 激光蒸镀法 溅射镀膜 阴极溅射 溅射率 溅射产额 二级溅射 三级和四极溅射 射频溅射 磁控溅射 反应溅射 离子镀 气体放电等离子体离子镀 空心阴极放电离子镀 小 结 内容要求 了解掌握蒸发镀的原理。 了解蒸发镀常用的几种加热方法及主要用途。 了解掌握溅射镀膜的原理。 了解溅射镀膜常用的几种方法。 了解溅射镀膜特点及