厚薄膜材料与器件第二章薄膜制备的基础理论09.ppt

第二章 薄膜的基础理论 第一节 薄膜的形成 薄膜的制造方法可以分为： ? 物理方法; ? 化学方法． 现以物理气相沉积 (PVD) 为例讨论薄膜的形成过程。 薄膜形成的过程主要包括三个环节： 单体的吸附 原子团的形成—成核 薄膜的形成—从孤岛到连续薄膜层 1. 单体的吸附 一个原子或分子从气相到达基片表面，再被吸附住，是一个比较复杂的过程，涉及以下几方面的问题： （1）基片表面的位能分布 （2）气相原子在基片表面的吸附 （3）吸附原子在基片表面上的状态 （1）基片表面的位能分布 物理吸附 基片对外来原子的物理吸引力为：范德华力。 对原子和非极性分子来说，产生范德华力的是基片表面原子的瞬时偶极矩，如二极矩和四极矩。 范德华力是一种电力。因此，物理吸附的本质是由于瞬时极化。 化学吸附 化学吸附时，在被吸附的原子(或分子)和基片表面原子之间发生了电子转移或共有，形成化学键，产生新的分子和物质。 化学吸附实质上是在基片表面发生的化学反应，即被吸附原子与基片表面最活泼的原子发生化学反应，形成新的化合物。 若吸附的是分子，被吸附体或者直接与基片表面相结合，或者先被离解成原子或自由基，而后再与基片表面相结合生成新的化合物。 第二节 薄膜的基本结构 薄膜的结构分： （1）薄膜的组织结构 无定形结构 包括无定形结构和类无定形结构。 无定形结构常称“无序结构”。这种结构原子排列近程有序、远程无序，显示不出任何晶体的性质，因此有时也称为玻璃态。 类无定形结构是由无规则排列的极微小的(2nm)晶粒所组成。由于这种薄膜的晶粒极其微小，所以它的衍射图象发生严重弥散而类似于无定形结构，因此将它称为类无定形结构。 问题 薄膜的组织结构有哪些类型？ 薄膜的晶格畸变主要由什么因素引起的？ 第三节 薄膜的力学性质 薄膜的力学问题突出表现在： （1）薄膜与基片之间的附着力； （2）薄膜内部存在的应力。 前者将影响到薄膜的形成、加工与使用性能； 后者可能会造成薄膜的开裂。 一、薄膜的附着性能 薄膜的附着性能主要与附着类型、附着力性质、工艺过程有关。 1. 附着类型 简单附着：具有突变界面 扩散附着：固体物质相互扩散，界面渐变 通过中间层附着：薄膜与基片间反应形成化合物中间层 通过宏观效应附着：机械锁合或双电层吸附 薄膜内应力引起的开裂 问题 薄膜的内应力是什么因素引起的？ 薄膜制备过程中升温或降温速率不当时常会引起裂纹的产生，为什么？ 第四节 薄膜的表面与界面 对于表面来说，由于表面态的存在而产生一个表面双电层。因此将薄膜分为几何表面和物理表面： 几何表面指表面的几何分界； 物理表面指一个电子结构不同于内部的表面区域。由于具体的材料不同，表面区的厚度有很大的差异。 1. 接触界面 常见的接触界面有：金属与金属、半导体与半导体、金属与半导体、金属与介质等接触界面。 （1） 金属与金属的接触 金属与金属的接触有两种情况： 思考题 在物理气相沉积中，沉积到基片表面的原子是否被基片稳定吸附是成膜的关键，试分析影响原子稳定吸附的因素有哪些？请说明理由。 在多晶薄膜中，可能存在那些界面？各界面有何特点？ 试举例说明金属与半导体接触、半导体与半导体接触的特点及其应用。 当?m ?s 时，金属与n型半导体接触前后的能级图 （a）接触前；（b）接触后；（c）空间电荷层 图中1为金属；2为半导体；3为电离施主；4为未电离的施主；5为空间电荷层；6为导电电子 金属与n型半导体接触 (?m ?s ) 整流接触 当?m ?s 时，金属与n型半导体接触前后的能级图 （a）接触前；（b）接触后 金属与n型半导体接触 (?m ?s ) 欧 姆 接 触 当?m ?s 时，金属与p型半导体接触前后的能级图 （a）接触前；（b）接触后 金属与p型半导体接触 (?m ?s ) 整 流 接 触 金属与p型半导体接触 (?m ?s ) 当?m ?s 时，金属与p型半导体系统整流特征图 （a）平衡状态下；（b）半导体上加正电压； （c）半导体上加反向电压 ——整流接触 金属与p型半导体接触 (?m ?s ) 当?m ?s 时，金属与p型半导体接触前后的能级图 （a）接触前；（b）接触后 欧 姆 接 触 s f 扩散附着 界面 2. 附着力的性质 范德华力：由两物体的相互极化而产生，包括定向力、诱导力和色散力。该种力在基片与薄膜的相互附着中普遍存在。 化学键力：通过形成化学键而结合，包括共价键、离子键、金属键。该种力在基片与薄膜界面并非普遍存在，只有形成化学键时才有这种力。要想使薄膜与基片形成牢固的附着，就需要设法使之形成化学键。 静电力：由于存在正负电性