chap2半导体材料的电学和光学特性.pptVIP

1、金刚石型结构和共价键 化学键: 构成晶体的结合力. 共价键: 由同种晶体组成的元素半导体,其原 子间无负电性差,它们通过共用一对 自旋相反而配对的价电子结合在一 起. 共价键的特点 1、 饱和性 2、 方向性 正四面体结构 2、闪锌矿结构和混合键 化学键: 共价键+离子键 （1）自由电子: （2）晶体中的电子: 布里渊区与能带简约布里渊区与能带简图（允带与允带之间系禁带） 布里渊区的特征：（1）每隔1/a的k表示的是同一 个电子态；（2）波矢k只能取一系列分立的值，每个k占有的线度为1/L； E（k）- k的对应意义： （1）一个k值与一个能级（又称能量状态相对应； （2）每个布里渊区有N（N：晶体的固体物理学原胞数）个k状态，故每个能带中有N个能级； （3）每个能级最多可容纳自旋相反的两个电子，故 每个能带中最多可容纳2N 个电子。 （1）满带中的电子不导电 I（A）=-I（-A） 即是说，+k态和-k态的电子电流互相抵消 所以，满带中的电子不导电。 而对部分填充的能带，将产生宏观电流。 （2）导体、绝缘体和半导体的能带模型 一、散射与漂移运动 加上外电场E的理想:载流子定向运动，即漂移运动。 1、载流子散射（1）载流子的热运动 自由程l：相邻两次散射之间自由运动的路程。 在外电场作用下，实际上，载流子的运动是： 热运动+漂移运动 电流I 单位时间内一个载流子被散射的次数 散射几率P 1）电离杂质散射：即库仑散射 散射几率Pi∝NiT-3/2（Ni：为杂质浓度总和）。 2）晶格振动散射 有N个原胞的晶体 有N个格波波矢q 一个q=3支光学波(高频)+3支声学波(低频) 振动方式: 3个光学波=1个纵波+2个横波 3个声学波=1个纵波+2个横波 3)其它散射机构 （1）等同能谷间散射——高温下显著 谷间散射：电子在等同能故中从一个极 值附近散射到另一个极值附 近的散射。 分类：A、弹性散射 B、非弹性散射 （2）中性杂质散射——在低温下重掺杂半导 体中发生. （3）位错散射——位错密度104cm-2时发 生具有各向异性的特点. （4）载流子与载流子间的散射 ——在强简并下发生 此图是Ge在300K下的电子迁移率和空穴迁移率 同理，对p型半导体 迁移率的意义：表征了在单位电场下载流子的平均漂移速度。 它是表示半导体电迁移能力的重要参数。 2.1.4 半导体的导电性 平均自由程：连续两次散射间自由运动的平均路程。 载流子的散射 2.1.4 半导体的导电性 （2）、载流子的漂移运动 2.1.4 半导体的导电性 2、半导体的主要散射机构 2.1.4 半导体的导电性 格波的能量效应以hνa为单元 声子 特点：各向同性。 a、声学波散射： Ps∝T3/2 b、光学波散射：P o∝[exphv/k0T）]-1 2.1.4 半导体的导电性 2.1.4 半导体的导电性 2.1.4 半导体的导电性 对于任何半导体（本征或杂质）来说，n(T) 和p(T) 的关系都是一定的，即 np为 对于本征半导体来说，ni = pi, 所以: 载流子浓度 2.1.2 半导体的能带结构 本征半导体的载流子浓度 把前面的公式n 和p代进，并使之相等： 给出了 EF(T): 费米能级在一定程度上和温度T有关，如果mh 和me 相似，则这个量很小。 2.1.2 半导体的能带结构 金属 半导体 功函数 j 电子亲和势 c 表面能带弯曲 正常情况下,金属中的电子受正离子的吸引不会离开金属,需要外界供给能量,真空能级和费米能级之差就为脱出功(功函数)?=E0-EF. CB的宽度可以计算电子亲和势 ? 2.1.2 半导体的能带结构 能带结构的修正 1.合金 2.异质结 2.1.2 半导体的能带结构 1.合金 晶体结构：如果合金元素（半导体A和B）的晶体结构相同，则半导体的